第6章 半导体器件的基本特征1.pptVIP

第六章 半导体器件的基本特性 第一节 半导体基础知识 6.1.1 本征半导体 6.1.2 杂质半导体 第二节 PN结及半导体二极管 6.2.1 异型半导体的接触现象 6.2.2 PN结的单向导电特性 6.2.3 半导体二极管 6.2.4 半导体二极管的应用 第三节 半导体晶体管 6.3.1 晶体管的结构及类型 6.3.2 晶体管的放大作用 6.3.3 晶体管的特性曲线 6.3.4 晶体管的主要参数;1. 半导体 ⑴ 半导体的物理特性 物质根据其导电性能分为 导体：导电能力良好的物质。 绝缘体：导电能力很差的物质。 半导体：是一种导电能力介于导体和绝缘体之 间的物质，如硅、锗、硒、砷化镓及一些硫化物和氧化物。;半导体的导电能力具有独特的性质。 ①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著增加； ②在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元素，它的电导率就会成千上万倍地增长； ③纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提高。 ;⑵半导体的晶体结构 原子的组成： 带正电的原子核 若干个围绕原子核运动的带负电的电子 且整个原子呈电中性。 半导体器件的材料： 硅（Silicon-Si）：四价元素，硅的原子序数是14，外层有4个电子。 锗（Germanium-Ge）：也是四价元素，锗的原子序数是32，外层也是4个电子。 ;简化原子结构模型如图的简化形式。;单晶半导体结构特点： 共价键:由相邻两个原子各拿出一个价电子组成价电子对所构成的联系。 下图是晶体共价键结构的平面示意图。 ;2.半导体的导电原理 ;半导体中的载流子 自由电子 空穴 空穴和自由电子同时参加导电，是半导体的重要特点 价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的同时，在原来的共价键位置上留下了一个空位，这个空位叫做空穴。 空穴带正电荷。;在本征半导体中，激发出一个自由电子，同时便产生一个空穴。电子和空穴总是成对地产生，称为电子空穴对。 半导体中共价键分裂产生电子空穴??的过程叫做本征激发。 产生本征激发的条件：加热、光照及射线照射。 ;B;由于空穴带正电荷，且可以在原子间移动，因此，空穴是一种载流子。 半导体中有两种载流子：自由电子载流子（简称电子）和空穴载流子（简称空穴），它们均可在电场作用下形成电流。 ;半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，那么，电子空穴对是否会越来越多，电子和空穴浓度是否会越来越大呢？ 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓度都保持一个定值。 半导体中存在 载流子的产生过程 载流子的复合过程;综上所述：;;本征激发;⑵ 杂质半导体;常用的杂质元素 三价的硼、铝、铟、镓 五价的砷、磷、锑 通过控制掺入的杂质元素的种类和数量来制成各种各样的半导体器件。 杂质半导体分为：N型半导体和P型半导体。 ;;;综上所述：;(3) 漂移电流与扩散电流; 扩散 电 流;;;;;;① PN结外加正向电压;PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，自建电场增强，多子的扩散电流近似为零。 反向电流很小，它由少数载流子形成，与少子浓度成正比。 少子的值与外加电压无关，因此反向电流的大小与反向电压大小基本无关，故称为反向饱和电流。 温度升高时，少子值迅速增大，所以PN结的反向电流受温度影响很大。;结论：;定量描绘PN结两端电压和流过结的电流的关系的曲线——PN结的伏安特性。 根据理论分析，PN结的伏安特性方程为;令 ;外加反向电压时，U为负值，当|U|比UT大几倍时， ;曲线OD段表示PN结正向偏置时的伏安特性，称为正向特性； 曲线OB段表示PN结反向偏置时的伏安特性，称为反向特性。 ;加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PN结击穿，发生击穿所需的电压称为击穿电压，如图所示。 反向击穿的特点：反向电压增加很小，反向电流却急剧增加。;4、 PN结的电容效应 ;;;1.半导体二极管的结构和类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 ;