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8 II—VI族化合物半导体能带结构
1.8 II—VI族化合物半导体的能带结构
二元化合物的能带结构
ZnS(六角晶）; ZnTe, ZnSe（NaCl,面心立方）导带电子的极大和极小处于k=0
价带在布里渊区中心是简并的，具有—个重空穴带和一个轻空穴带，还有一个由自旋—轨道耦合而分裂出来的第三个能带。
CdTe:导带极小值Γ6，
价带 Γ8，分裂的 Γ7位于k=0
HgTe:导带极小值Γ6位于价带 Γ8以下。Eg≤0称之为：半金属或零带隙。
; 导带极小值Γ6位于价带 Γ8以下。Eg0, 半金属。
Γ6略高于于价带 Γ8之上。 Eg＝0
x增大， Γ8高于Γ6， Eg0, 能带类于CdTe.;作业：
1.自我复习：
a.金刚石型结构 ；
b.共有化运动,允带，禁带；
c.自由电子能谱，简约的布里渊区，波矢为简约波矢；
d.金刚石第一布里渊区；
e.导体，半导体、绝缘体的能带 ；
f.有效质量与能带－－势场，外力--电子的加速度；
g.本征半导体的导电机构；
h.空穴回旋共振与有效质量；
i.硅和锗的导带价带结构；
j.间接带隙半导体，半金属或零带隙，窄带半导体。
;
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