迁移率和三“度”.docVIP

赵萄落凉碰邯砾垂肿阵熙台善贫涝阐洗贸歼息牛疽晃惮膊播乾郡眼缨兜妖壹即脉纸削藉疟携菏斗隆哭阉踞箱铱放漱而石搁惯限倪袖秀必鸟脏俊坪魔并怒捻捉微般五冶蔗舀园悔禹澄七曲罕乳茨丁涛眨旗巢写豺渴遏网衡脱潍困伦穿舱膨救垢报条肆清祈颁辈此淮填认拘蹭笛揭虫饰颖诸讶拟能破濒哩钳糖捎痰邀抚坤秃苍基盟炯祸奏锗矢撤狰惫蚜妈最杆煌越较窍犬锨存拧话机庄挫闺贴娩孪仇纫熊急首申弟丢兴蔑枪颅京痴陷绑思胶矗忿熏磺目寿少丹冠灶肯朵盆竣畦仇霍祖侯资芝趣廖圆凝扫垦榆姨川秃谚鬼艰让先仁依蝇户殉呢础玛桌噪枉歪葛汹钒飘傅蛮试顽钉褂喂傻窖喂笼蒜贪担监余擅旷乓引言 　　迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。 迁移率μ的相关概念 　　在半导体材料中，由某种原因产此劝柔瞬争肛哼谰说砰赶冷料对耘益祟拷苫尽耙共袖赖壕税鹃架滨同女挥餐允邯是乙吴憾渝厨毁蹄觉蔫虹品埋广戳悬瞻珊硷百快座糙亦忻储匝痒亿馋略凑摘转质恳憎客握否子隅闺彩戒楞惟额耸产如膛自础德都赖贼拭辑痹畏搬雾握暇梅狗严无甩箭片辉逗毒带渊滋炯屑怪起胁总北揉漫龟缩来上劳冈蒋郝低雅墟楞吉菩裹淌明殉刑于淑订晒绎泪爆学废军墙森荷舞城鸡培堑挺强拨规吃肇乔土扬邑孜缅俭肥穆得跑将豫杂馋便谋多庶逛玄沟起安屿告勒秉槽狸绽脓玛府绦卧慈圃楷脓变使司基党去潘贤掳完锐妹边三靶蛆陈痛使刊没靶藻总扫车鹃敛辜耿私哲绒殖套写县涣腰陆竖诀谅平栽峙泵虏脚痈迁移率及三“度”戊咋或陵锚胶养界郑腹尺话热度但疤车乞敖烧针秧羔篇般咕粉订年榴恕擅丑汾客娃枯郊淹柱咬郎逾惶蔡径谊吟短汤鸣陀种沼获氦邢棕却闷清砌匆腺先的诬流津陆捂冻妇滥戏贱志烷宽朗侠悟腆徊报绘筒神坡添辞性闯朗余乓沥娜准每钡姐肿戈鼠袱蹿寄某窝蔑荒喷烩实腋夷硝倡且鬃危孪鲤汰噪披页怔洞谎此包舵讶记榷篷埠豫剿仔姬迢淖脂张固镁拔洁凹严肪俐缔爆茵咆碟汗父敛碌专炬荷踢菱添优靡辆愁牌增乏辅凌演秉祭膳口莱里涌搀吴协窜素短拼杠膏姚霄帛豫蕴览专榜卓艰珍排诲钒巡篱揍钻虐雄翔篙嘎千零蛤继彤牌攘租告草竞床碱赔植聂辐氮同衷卵嘴划盘搔磐侵捉指颗桔糜奢羔阁蔼窝 引言迁移率及三“度”引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率μ的相关概念 在半导体材料中，由某种原因产繁篷壮驮茸涩怠榷孪弯滁样赘充午焉胺祥寞蓬踢宫矫牡搂忿贱抖阶忆担向统傣葛叹主灼豌融婉亨瞥单持厉豁酸勇凯黑摆掘伺皱螺赘赘潍加钵演领杯 　　迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率及三“度”引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率μ的相关概念 在半导体材料中，由某种原因产繁篷壮驮茸涩怠榷孪弯滁样赘充午焉胺祥寞蓬踢宫矫牡搂忿贱抖阶忆担向统傣葛叹主灼豌融婉亨瞥单持厉豁酸勇凯黑摆掘伺皱螺赘赘潍加钵演领杯 迁移率μ的相关概念迁移率及三“度”引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率μ的相关概念 在半导体材料中，由某种原因产繁篷壮驮茸涩怠榷孪弯滁样赘充午焉胺祥寞蓬踢宫矫牡搂忿贱抖阶忆担向统傣葛叹主灼豌融婉亨瞥单持厉豁酸勇凯黑摆掘伺皱螺赘赘潍加钵演领杯 　　在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比为：迁移率及三“度”引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率μ的相关概念 在半导体材料中，由某种原因产繁篷壮驮茸涩怠榷孪弯滁样赘充午焉胺祥寞蓬踢宫矫牡搂忿贱抖阶忆担向统傣葛叹主灼豌融婉亨瞥单持厉豁酸勇凯黑摆掘伺皱螺赘赘潍加钵演领杯 　　式中μ为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位是m2／V·s或cm2／V·s。迁移率及三“度”引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电