mg注入非极性a面gan退火温度的研究 study of mg-doped nonpolar a-plane gan films annealing temperature.pdfVIP

畏3叶拽2013年第26卷第1期 Electronic Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究 杨 扬，李培咸，周小伟，贾文博，赵晓云 (西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安710071) 摘要非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象，具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉 oC、750oC、850℃这3个温度对Mg注入 积方法，在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜，并选取650 GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜、光致发光谱、拉曼谱研究了材料的表面形貌、光学性质以及面内应 力。结果表明，在750℃退火时效果较好。 关键词 非极性；氮化镓；原子力显微镜；光致发光谱；拉曼谱 中图分类号TN304；0484文献标识码A 文章编号