ni基n型sic材料的欧姆接触机理及模型研究 investigation of the mechanism and model about ni based ohmic contacts to n-type sic.pdfVIP

第28卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．28，No．1 2008年3月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Mar．，2008 Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究’ 郭辉“19,．H张玉明吕红亮 (西安电子科技大学微电子学院，西安，710071)(教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安，710071) 2006—04—28收籍，2006．07—24收改穑 摘要：研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理，认为合金化退火过程中形成的C空位(vc)而导致的高 载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图，提出比接触电阻肛由氏-和氏z两部 分构成。Pc。是Ni硅化物与其下在合金化退火过程中形成的高载流子浓度层间的比接触电阻，肛z则由高载流子浓度 层与原来SiC有源层之间载流子浓度差形成的势垒引入。该模型较好地解释了n型SiC欧姆接触的实验结果．并从 衬底的掺杂水平、接触金属的选择、合金化退火的温度、时间、