pdsoi体源连接环形栅nmos特性研究 a study on characteristics of pdsoi round gate nmos with body tied to source.pdfVIP

第28卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．28，N。．1 2008年3月 OFSSE Mar．，2008 RESEARCHPROGRESS PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 毕津顺。 海潮和 (中国科学院微电子研究所，北京，100029) 2006—05·29收稿．2006—08—11收改稿 摘要：提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件，并讨论了相应的工艺技术和工作 机理。采用体源连接环形栅器件结构，有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应，使 器件性能得到很大的提高。消除了浮体环形栅器件的反常亚阈值斜率和Kink效应，DIBL从120．7mV／V降低到 3．45 mV／V，关态击穿电压从4．8V提高到12．1V。最后指出，体源连接环形栅器件非常适合于抗辐照加固等应用