sio2介质材料辐射损伤测试结构设计 test structure design of radiation damage on sio2 dielectric material.pdfVIP

Electronjc Si02介质材料辐射损伤测试结构设计 陈伟华，杜 磊，何 亮 (西安电子科技大学技术物理学院，陕西西安710071) 摘 要 为研究CMOS器件与电路的辐射效应，文中提出了Si02介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧 化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异，分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的 封闭栅结构以及D09—B∞e栅结构。为CMOS器件辐射损伤机理及辐射加固提供了新的样品和研究方法。 关键词Si0：介质材料；辐射损伤；测试结构 中图分类号TN305文献标识码A 文章编号100r7—7820(2009)08一052一03 of on DieIec埘cMatenal T髑tStructure DesjgllRadia廿蚰Damage Si02