核辐射测量原理-作业答题要点doc配套清华大学,复旦大学,北京大学合编的原子核物理实验方法.docVIP

第一章 辐射源 1、谈谈你所感兴趣的一种辐射源。 答题要点（略）。 第二章 射线与物质的相互作用 8、10MeV的氘核与10MeV的电子穿过铅时，它们的辐射损失率之比是多少？20MeV的电子穿过铅时，辐射损失和电离损失之比是多少？ 解：已知辐射能量损失率理论表达式为： 对于氘核而言，md=1875.6139MeV；对于电子而言，me=0.511MeV， 则10MeV的氘核与10MeV的电子穿过铅时，它们的辐射损失率之比为： Ee=20MeV时，在相对论区，辐射损失和电离损失之比有如下表达式： 则 20MeV的电子穿过铅时，辐射损失和电离损失之比为： 11、某一能量的γ射线在铅中的线性吸收系数是0.6cm-1，它的质量吸收系数和原子的吸收截面是多少？这γ射线的能量是多少？按防护要求，源放在容器中，要用多少厚度的铅容器才能使容器外的γ强度减为源强的1/1000？ 解： 已知μ=0.6cm-1，ρ=11.34g/cm3，μm=μ/ρ得质量吸收系数μm=0.6/11.34cm2/g=0.0529 cm2/g 由 得原子的吸收截面: 查γ射线与物质相互作用截面和元素的质量衰减系数表可知，在 μm=0.0517cm2/g时相对应的γ射线的能量为1.5 MeV，μm=0.0703 cm2/g时，相对应的γ射线的能量为1.0 MeV,如果以y轴表示能量，x轴表示质量吸收系数，则相对应的两个点（x1,y1））0.0517，1.5）、（0.0703，1.0）：利用插值与多项式逼近中的拉格朗日逼近： 可得μm =0.0529 cm2/g时所对应的能量： (这里用的是两点式逼近，同学们有兴趣的话可以查表多找几个点用多项式逼近计算) 由 得时铅容器的质量厚度tm为： 或由 得： 第三章 放射性测量中的统计涨落 3、本底计数率是500±20min-1,样品计数率是750±25min-1,求净计数率及误差。 解： 由500±20min-1可知本底的nb=500 min-1,σb=20 min-1 由750±25min-1可知样品的ns=750 min-1,σs=25 min-1 则净计数率： 误差： 数据结果表示： 第四章 气体探测器 1、活度为4000Bq的210Po源，若放射的α粒子径迹全部落在充Ar电离室的灵敏区内，求饱和电流。解：由已知条件210Po源4000Bq，Eα=5.305MeV，Ar的平均电离能为26.3eV 则一个由210Po源α粒子Ar中产生的离子对数为： 由得饱和电流为： 6、为什么正比计数器和G－M计数器的中央阳极必须是正极，即Vc-Vk0？可以看出,沿着径向位置为r处的电场强度E（r）与r成反比，随着r的减小，E（r）开始逐渐增大，当r趋于a亦即接近中央极丝时E（r）将急剧的增强； 如果中央极丝是正极，则当射线通过电极间气体时，电离产生的电子和正离子在电场的作用下，分别向阳极和阴极漂移；由于正离子的质量很大，且沿漂移方向的电场又是由强到弱，因此电场的加速不足以使它发生电离碰撞；而电子则越接近阳极电场强度越强，到达某一距离r0后，电子在平均自由程上获得的能量足以与气体分子发生碰撞电离，产生新的离子对，新的电子又被加速再次发生碰撞电离；漂移电子越接近阳极，电离碰撞的概率越大；不断增值的结果将倍增出大量的电子和正离子，亦即电子雪崩，从而形成高场强、小范围的雪崩区。 如果中央极丝是负极，虽然正离子沿漂移方向的电场是由弱到强，但由于正离子的质量很大，速度也较电子慢，通过电场加速仍不足以使它发生电离碰撞；而电子在向阳极漂移的过程中，电场越来越弱无法形成雪崩区； 因此，正比计数器和G－M计数器的中央阳极必须是正极，即Vc-Vk0。 第五章 闪烁探测器 试计算24Na-2.76MeVγ在NaI(Tl)单晶γ谱仪测到的能谱图上，康普顿边缘与单光子逃逸峰之间的相对位置。 解：24Na的γ射线能量为Eγ＝2.76MeV，则相应的单逃逸峰峰位为： 康普顿坪是由反冲电子能量沉积所贡献的，其能量表达式为： 而康普顿边缘在反冲电子最大能量处，从而由： 得康普顿边缘为： 则康普顿边缘与单光子逃逸峰之间的相对位置 试详细解析上题γ射线在闪烁体中可产生那些次级过程（一直把γ能量分解到全部成为电子的动能） 答：24Na源所产生的2.76MeVγ射线在NaI(Tl)γ射线的能量全部消耗在晶体内，转化为光电子的动能； 康普顿效应，发生康普顿效应时，将产生反冲电子和散射光子，散射光子散射光子要么逃逸出晶体，要么继续留在晶体中产生次级光电效应及康普顿效应，直至能量全部损耗在晶体内； 电子对效应，将产生正负电子对，正电子在碰撞过