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EM720FV8B-45LF中文资料(Emerging Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn
合并存储器与逻辑解决方案公司合并存储器与逻辑解决方案公司 EM620FU8系列系列
低功耗低功耗,256Kx8 SRAM
文档标题文档标题
256K×8位超低功耗和低电压全位超低功耗和低电压全CMOS静态静态RAM
修订记录修订记录
版本号版本号 历史历史 草案日期草案日期 备注备注
0.0 初稿草案 ,2002年12月18日
0.1 第2草案 加入无铅部件号 2004年2月13日,
芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn
合合并并存存储储器器与与逻逻辑辑解解决决方方案案公公司司 EM620FU8系系列列
低低功功耗耗,256Kx8 SRAM
特特征征 概概述述
• 工艺技术:0.18微米全CMOS 该EM620F 8系列由EMLSI制造
• 组织:256K×8位 先进全CMOS工艺技术.这些家庭
• 电源电压:2.7V〜3.3V 支持工业级温度范围和芯片级
• 低数据防护持电压:1.5V (最小值) 包装系统设计用户灵活性.这些家庭还支持低数据防护
• 三态输出和TTL兼容 持电压低数据防护持当前电池备份操作.
• 封装类型:36-FPBGA 6.0x7.0
产产品品系系列列
功功耗耗
产产品品 操操作作 Vcc PKG
家家庭庭 体体温温 Range Speed
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