全新可升级ate保障未来三代器件需求.pdfVIP

P LSE技术前沿 全新可升级ATE保障未来i代器件需求 存储器制造商一直在寻找一种既能满 本，目前业界其它产品均不能达到。’ 足其生产和功能需求又能提供比一代 据了解．V93000HSM3G的速度和功能 器件寿命更长，投资价值更高的节约型ATE将来都可以升级。提供了高速存储器测试市 解决方案。 场}展完整的功能。其可编程的快速的每 惠瑞捷(Ⅷ鲥)日前根据市场需隶推出了 引脚AFG能力得判了数据总线蹦置(DBI)和 循环冗余投验码(CRC)数据的支持，能够对 垒新的V93000HSM3G高速存储器嘲试解丧方 案，进一步拓屉了面向DDR3、DDR4和更高高级的DDR4存储器技术功能盎行洲试．确 级存储器件删试能力的V93000HSM平台。撮丁较高的测试质量和产量。 ark 惠瑞捷战略jf『场营销部剐总截M 得蓝干其每引脚的存储器自动测试设 A]li咖介绍说．V93000HSM3G执特的优势备处理能力．V93000HSM3G可以节约高 在干其来来的可升级性，能昭为数据传输速 选20％的测试时问。它提供垒并行模式的执 度高选68Gbps的未来三代DDR存睹器提供行，垒并行的直流检测以厦眼宽的测量，从 价格低廉的删试服务，从而前所来有地长朋 而提供了非常高的多点技率。 v93000 节约经济成本。 HSM3G在整个速度范宙内盛 MmkAllison表示．可升级的V930COHSM 耐试平台的寿命，能够为从DDR3判DDR4再DDR3实际井行测试．而无需任何测试时间 到将来更高级的主流DRAM的至少三代设备管理费用，也不会影响准确性．功能性、■ 提供卓越的投资回报。这些测试非常节约成 诚范圈以厦产量．(丛秋波) MSPS “位200 ADC提升信噪比降低功耗 I-一比．Tl 对ADC米髓．最重要的性能或参继嚣以硬MIMO分集接收机等应用需求． 数就要教信嘬比了．有时为了提高 据了解，该系列ADC的主要特征与优 信噪比，往往以降低其它的技术参数为代 势还体现在，一、采用可编程SNRBoost 3dB 竹。日前，每州仪器(T1)推出了业界晟低技术，可实现60MHz带竟下高达72 功耗11位200MSPSADC系刊产品．这些 db ADC采用TI的专利SNRBoost(信噪比升的SNR性能．从而满足客户3G与4G接 压)拄术，可为要求高逃65MHz信号带宽收机灵敏度拢蓖的要求·二．比同类四通 道200MSPSADC的功耗降怔丁30％。印， 的多载波与多模式通信系统(如CDMA．