热应力影响下scsp器件的界面分层 interface delamination of scsp device in thermal stress influence.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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热应力影响下scsp器件的界面分层 interface delamination of scsp device in thermal stress influence.pdf

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热应力影响下scsp器件的界面分层 interface delamination of scsp device in thermal stress influence

、，01．27 第27卷第lO期电子元件与材料 NO．10 2008年10月 ELECTRONICCoMPONENTSANDⅣL卿RIALS 0ct．2008 热应力影响下SCSP器件的界面分层李功科，秦连城，易福熙： (桂林电子科技大学机电工程学院，广西桂林541004) 摘要：通过有限元方法研究了堆叠芯片尺寸封装(SCSP)器件在回流焊工艺过程中的热应力分布，采用修正J积分方法计算其热应力集中处应变能释放率。结果表明：堆叠封装器件中最大热应力出现在Die3芯片悬置端。J积分最 Die3芯片下缘的节点18，19和顶层节点27三个连接处的J积分值为负值，说明该三处裂纹相对稳定，而不会开裂处于挤压状态．关键词：电子技术：SCSP器件；修正J积分；界面分层；热应力中图分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号：1001。2028(2008)10—0048-03 Interface in delaminationofSCSPdevicethermalstressinfluence LI Fu-xi Gong-ke，QINLian-cheng，YI ofMechanicalandElectrical ofElectronic (School Engineering，GuilinUniversity Technology,Guilin541004。Guangxi ZhuangzuZizhiqu，China) Abstract：ThedistributionofSCSPdevice。Sthermalstress reflow WaS finite during soldedngprocessinvestigatedthrough element swain releaserateofthermalstressconcen仃afionareawaScalculatedmodifiedJ method,and energy by integral method．ResultsshowthatmaximumthermalstressofSCSPdevice inDie3 maximumvalue appears chipsuspendedtip．The of and and in J locatesthe ofDie3 above adhesivearrivesat1．34J／mz，toshowthecrackthis integral jointpart chip verge locationisunstablestate．J valuesale valuesatthree ofDie3 low and