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镀膜-PECVD Sentech椭偏仪优势 ＊膜厚梯度、散射光线（粗糙表面）、聚焦角度、透明基底背板反射等都能够减少光的偏振程度，这就是退偏振效应。 ＊真实偏振状态只能够通过添加补偿器才能测量。 ＊常规椭偏仪的硬件和软件只能够分析从样品表面反射的完全偏振光，他们不能分析部分偏振。 * 镀膜-PECVD Sentech椭偏仪操作注意事项 1、过大的撞击或搬动会造成测试不准确，需要重新校准 2、单晶、多晶、校准载片台不可混用 3、载片台要固定住，不稳定会造成测试结果不准确 4、测试时候硅片顺序不要弄混 5、测试过程中要注意保护测试片的绒面和膜面 * 镀膜-PECVD 氮化硅厚度和折射率的确定 * 镀膜-PECVD 氮化硅厚度和折射率的确定 在硅表面制备一层透明的介质膜，由于介质膜的两个界面上的反射光互相干涉，可以在很宽波长范围内降低反射率。此时反射率由下式给出： 式中，r1、r2分别是外界介质-膜和膜-硅界面上的菲涅尔反射系数；△为膜层厚度引起的位相角。 * 镀膜-PECVD 分别表示为 ： * 镀膜-PECVD n0，n和nsi分别为外界介质、膜层和硅的折射率；?0是入射光的波长；d是膜层的实际厚度；nd为膜层的光学厚度。 当波长为?0的光垂直入射时，如果膜层光学厚度为?0的四分之一，即nd=?0/4,则可得: * 镀膜-PECVD 为了使反射损失减到最小，即希望R0=0,就应有： 由上式就可求得给定波长为?0所需减反射膜的折射率，而最佳膜层光学厚度是该波长的四分之一，此时反射率最小，接近于零。 * 镀膜-PECVD 但当波长偏离?0时，反射率都将增大。因此，为了使电池输出尽可能增加，应先取一个合理的设计波长?0。这需要考虑两个方面，即太阳光谱的成分和电池的相对光谱响应。 * 镀膜-PECVD 外层空间太阳光谱能量的峰值在波长0.48微米，地面太阳光谱能量的峰值在波长0.5微米；而硅太阳电池的相对响应峰值在波长0.8～0.9微米。 取设计波长为0.6微米，则恰当的减反射膜的光学厚度应为0.15微米。带这一厚度减反射膜的硅太阳电池，由肉眼看来应呈深蓝色。 * 镀膜-PECVD 对于减反射膜应取得折射率，由于取?0＝0.6微米，硅的折射率nsi=3.9,因此如果电池直接暴露在真空或大气中使用，最匹配的减反射膜折射率为n=≈1.97。 实际应用中，电池在做成组件时，大多采用硅橡胶封装。所以，对于减反射膜来说，外界介质将是硅橡胶，其折射率约为1.4，在这种情况下，最匹配的减反射膜折射率应为 * 镀膜-PECVD 镀膜不良造成的影响 1、色差严重，影响外观，直通合格率低 2、氮化硅膜厚差异大，造成烧结过程中银穿透氮化硅程度不均匀，串联电阻增大，填充因子低，效率上不去 * 谢谢！ * 刻蚀、清洗、镀膜简介 周延丰 * 等离子刻蚀 干法刻蚀：激光刻蚀、等离子刻蚀 ＊缺点：衬底损伤、残余物污染、金属杂质 ＊优点：优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌（这是各向同性反应）、对温度变化不那么敏感、重复性好、避免了化学废液 湿法刻蚀：化学腐蚀 ＊缺点：缺乏各向同性、工艺难控制和过度的颗粒沾污 ＊优点：一般不产生衬底损伤 * 等离子刻蚀 刻蚀的目的 由于在扩散过程中，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路，所以要通过刻蚀去除边缘的扩散层。 * 等离子刻蚀 刻蚀的目的 * 等离子刻蚀 等离子刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。 CF4----?CF3、CF2、CF、F、C以及他们的离子 * 等离子刻蚀 等离子刻蚀的一般步骤 1、反应室的气体被等离子体分离成可化学反应的元素 2、这些元素扩散并吸附在硅片表面 3、这些元素在硅表面上进行表面扩散，直到发生反应 4、反应生成物解吸，离开硅片并排放 * 等离子刻蚀 等离子刻蚀工艺参数 1、射频功率（反射功率） 2、辉光时间 3、压力 4、气体流量 * 等离子刻蚀 刻蚀不当造成的影响 * 等离子刻蚀 刻蚀不当造成的影响 * 等离子刻蚀 太阳电池等效电路 * 等离子刻蚀 刻蚀的控制 ＊防止刻蚀不够：关注设备运行状态、主要是检查辉光功率与反射功率、控制辉光时间、关注辉光颜色 ＊防止刻蚀过头：目