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微电子器件(测验)
某硅突变 PN 结的 NA = 1.5×1014 cm-3，ND = 1.5×1018 cm-3，试求室温下： 1、平衡时的 pp0 、nn0 、pn0 和 np0 ； 2、外加 0.2V 正向电压时的 pn(xn) 和 np(-xp) ； 3、内建电势 Vbi 。 测验一 * * 测验二 一、 1、写出 PN 结正向扩散电流密度 Jdn 、Jdp 的表达式。 2、当 NA ND 时，Jdn与 Jdp 中以哪种电流密度为主？ 二、 某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC = 4.4 ×105 V/cm ，雪崩击穿电压为 220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB 。 * 答案 一、 1、 2、当 NA ND 时， Jdn Jdp 二、 * 1、某 NPN 晶体管的 ，试求该管的浮空电势。 2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度 nB(0) 是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。 测验三 * 答案 * 求下图共发射极 T 形等效电路中 与 并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？ 测验四 * 答案 通常因 ，所以可忽略 。 * 测验五 1、某 N 沟道 MOSFET 的 VT = 1V，β = 10-3AV –2 ，试求当 VGS = 4V ，而 VDS 分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。 2、试求该 MOS 管当 VDS = 2V，VGS 分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。 * 答案 1、 4 mA 、4.5 mA 、4.5 mA 2、 0.5 mA 、2 mA 、4 mA *
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