电工电子技术-半导体二极管和基本电路.ppt

电工电子教学基地制作;一、性质及任务;二 研究对象 1.电子器件的特性、参数； 2.电子线路分析的方法：即模拟电路和数字电路的分析方法。 3.有关应用。 三 研究方法 电子技术的研究方法与电路不同，它具有更强的工程性质，在分析中常用工程近似法突出主要问题，使分析过程得以简化。;讲授内容; ;5.1 半导体的基础知识;1.表述： 半导体经高度提纯并制成晶体后，原子间组成某种形式的晶体点阵，这种半导体称为本征半导体。也就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 2. 本征半导体导电方式 以硅（Si）元素为例讨论、分析;(a) 锗Ge 的原子结构 (b) 硅Si 的原子结构;硅单晶中的共价键结构; 1）自由电子和空穴的形成;价电子填补空穴，就好像空穴在运动。而空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动。 当加上一定方向的电场后，就会不断有激发、复合过程，出现两部分的电流，即 电子电流：自由电子作定向运动所形成的 电流； 空穴电流：被原子核束缚的价电子递补 空穴所形成的电流。;二.杂质半导体;在硅（或锗）的晶体中掺人少量的五价元素（如磷元素），如图所示，多余的第五个价电子很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。;半导体中的自由电子数目大量增加，于是有： 自由电子数 ＞＞ 空穴数 多数载流子 少数载流子 因此以自由电子导电作为主要导电方式的半导体，称为电子半导体或 N 型半导体（N —type semiconductor ) 。;2. P 型半导体;N 型半导体 P 型半导体;三 P N 结;1. PN 结的形成;1）多数载流子(P 区的空穴和 N 区的自由电子) 要从浓度大的 区域扩散到浓度小的区域，形成空间电荷区--PN结，产生电场，称为内电场 Ed ； 2）内电场对多数载的扩散运动起阻挡作用，对少数载流子又起推动作用，这种少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。;1）空间电荷区的正负离子虽带电，但它们不能移动，不参与导电。因区域内的载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高。 2）内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以???间电荷区--PN结又称为阻挡层或耗尽层。;2. P N 结的单向导电性;1）PN 结加正向电压;2） PN 结加反向电压;PN 结变宽;PN结两端加上电压，PN结内的就有电荷的变化，说明PN结具有电容的效应。; 5.2 半导体二极管一.普通二极管;1） 正向特性： OA段：当 UF＜UT≈0.5V （死区电压）时外电场不 足以克服结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流 IF很小(IF≈0)，D处于截止状态。;2） 反向特性;硅二极管与锗二极管的伏安特性比较;综述：;2. 主要参数;二. 稳压二极管（DZ);2）稳压管的反向特性;2. 主要参数;利用二极管单向导电性，主要用于 1. 整流：将交流变换为直流； 2. 检波：从高频载波中检出调制信号； 3. 限幅：将输出电压的幅度限制在一定范围内； 4. 箝位及隔离： 5. 元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。 利用稳压管的击穿性来稳定电压。; 例 1.; 例 2.; 例 3.; 电路如图，ui = 5sinωtV，D1、D2为理想二极管，试画出uo波形 。; 例 5.;5.3 直流电源;图中各环节的功能如下：;一、变压;二、 整流电路;3）主要参数 (1) 单相半波整流电压的平均值UO;(3) 二极管中的平均电流ID;1）. 电路组成： 原理图如图所示;2）工作过程;单相桥式整流电路波形图;3）主要参数;(3) 二极管中的平均电流ID;4）整流元件及变压器的选择;例1:; (2) 整流变压器的变比和容量： 变比 ;三、 滤波电路;2）. 工作过程;b) 当 u2 ＜uC ，且π/ 2 ＜ωt ＜π时;(2) u2 ＜0 (负半周)， a) 在π＜ωt ＜3π/ 2，当 uC＜| u2 |＜U2m 时， D2、D4 导通， D1、D3 截止，有:iD = iC + iO, uC = uO，电容充电。;3）. 参数估算;(1) C=(3 ~ 5)T/(2RL) (2) 在(1) 条件下，有：UO = (1.1~1. 2 )U2 , 一般取： UO =1. 2 U2 (3) 输出电流平均值： ;例2:;(2) 选择 滤波电容器 据式 τ= RL×C≥（3～5）T/2 取 RL×