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双基极条结构的 rb’ 分布电流为 dy 段上的电阻为 Ib(y) 在 dy 段电阻上的功耗为 Ib(y) 在工作基区内的功耗为 根据等效电阻的概念，这个功率应该与集中电流 IB 在等效电阻 rb’ 上的功耗相等，即 双基极条结构的 rcb 圆环形基极结构的 rb’ 圆环形基极结构的 rcb 很小，可以忽略。 圆环形基极： 降低 rbb’ 的措施 （1）减小 R口B1 与 R口B2 ，即增大基区掺杂与结深，但这会降低β，降低发射结击穿电压与提高发射结势垒电容。 （2）非工作基区重掺杂，以减小 R口B3 和 CΩ 。 （3）减小 Se 、Sb 与 d ，增长 l ，即采用细线条，并且增加基极条的数目，但这受光刻工艺水平和成品率的限制。 双基极条： 3.8 电流放大系数与频率的关系 双极型晶体管的电路应用 开关作用 放大作用 晶体管放大高频信号时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后 把欲放大的高频信号叠加在输入端的直流偏置上 。 负载线 饱和区 截止区 放大区 （饱和区、截止区） （放大区） 当 信号电压的振幅远小于 ( kT/q ) 时，称为 小信号。这时晶体管内与信号有关的各电压、电流和电荷量，都由直流偏置和高频小信号两部分组成，其高频小信号的振幅都远小于相应的直流偏置。各高频小信号电量之间近似地成 线性关系 。 ？ 随着信号频率 f 的提高， 和 的幅度会减小，相角会滞后。 以 分别代表高频小信号的发射结注入效率、基区输运系数、共基极和共发射极电流放大系数 ，它们都是复数。对极低的频率或直流小信号，即当 ω → 0 时，它们分别成为 。 以 PNP 管为例，高频小信号电流从流入发射极的 ie 到流出集电极的 ic ，会发生如下变化： ie ipe ipc ipcc ic ie ic CTE CDE CTC 3.8.1 高频小信号电流在晶体管中的变化 rCS 3.8.2 基区输运系数与频率的关系 1、高频小信号基区输运系数的定义 基区中到达集电结的少子电流的高频小信号分量 与从发射区注入基区的少子形成的电流中的高频小信号分量 之比，称为 高频小信号基区输运系数，记为 。对于 PNP 管， 基区输运系数随频率的变化主要是由少子的基区渡越时间所引起。 (1) 复合损失使 的物理意义：基区中单位时间内的复合率为 ，少子在渡越时间 ?b 内的复合率为 ，因此到达集电结的未复合少子占进入基区少子总数 ，这就是 。这种损失对直流与高频信号都是相同的。 2、基区渡越时间的作用 (2) 时间延迟使相位滞后 对角频率为 ω 的高频信号，集电结处的信号比发射结处在相位上滞后 ω?b ，因此在 的表达式中应含有因子 。 (3) 渡越时间的分散使 减小 已知在直流时， ，现 假定 上述关系也适用于高频小信号，即 3、由电荷控制法求 基区中高频小信号空穴电流的电荷控制方程为 当暂不考虑复合损失时，可先略去复合项 。 基区 ipe ipc 将 代入略去 　 后的空穴电荷控制方程中， 再将复合损失考虑进去，得 上式可改写为 一般情况下， 得 式中，　　　　 代表复合损失，　　 代表相位的滞后， 代表 ?b 的分散使 的减小。 由于采用了 的假设而使 的表达式不够精确 ，因为这个假设是从直流情况下直接推广而来的。但在交流情况下，从发射结注入基区的少子电荷 qb，要延迟一段时间 后才会在集电结产生集电极电流 ipc 。 5、延迟时间 对于均匀基区，η = 0，m =