针对第一性原理的电荷俘获存储器的特性的分析研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 随着科技的不断发展，对电子产品的要求越来越高，这推动了半导体存储器 Metal—Oxide— 的发展。随着集成度的不断提高，传统的Complementary 非挥发性存储器得到广泛的应用，这是因为，FIash存储器具有成本较低、存储 容量较大和功耗较小等优点。最主要的是因为Flash存储器与传统的CMOS工艺 相兼容。但是随着集成度的提高，Flash存储器也遇到了严重的问题，即器件尺 寸与器件信息存储可靠性之间的矛盾。这一问题严重限制了Flash存储器的应用。 为了缓解这一矛盾，研究下一代存储器具有十分重要的意义。电荷俘获存储器 (ChargeTrapping 层，这将大大的减小器件的物理厚度，可以缓解器件尺寸与存储容量之间的矛盾； 同时，CTM的存储是采用分立存储，这大大的提高了器件对信息存储的可靠性。 因此，CTM被作为下一代非挥发器件而被广泛的关注。 近年，为了更好的提高CTM的相关性能，研究人员做了大量的研究。Si3N4 于提高CTM的相关性能。本文的研究主要是采用基于密度泛函理论的第一性原 理的VASP软件对相关结构进行模拟计算，通过相关计算方法处理计算数据，最 后得出相关的结论。这为提高CTM的相关性能提供理论指导。本文的内容主要 包含四个部分，如下所示： 第一章主要介绍了存储器的发展、相关特性参数以及CTM的器件结构，CTM 的擦、写、存储机制；然后，介绍本文所研究的结构模型及相关参数：最后，介 绍本文的研究方法。 第二章主要研究以／7IF02作为俘获层的+CTM的写速度。对俘获层材料进行 微观分奉斤．，了解其微观特性并与宏观特性．(如电流、电压等)相联系。，通过分析 哪些微观因素会影响宏观特性，以此说明改变俘获层的微观特性，可以提高：CTM 以及间隙掺杂氧原子(Io)下的能带偏移值、电荷俘获能以及俘获密度，主要说明 了载流子隧穿进入俘获层的难度，电荷被俘获的速度以及电荷被俘获的概率。对 计算数据的分析表明，不同缺陷对其写速度的影响，并找出写速度最快的缺陷。 T 万方数据 基于第-t_-t原理的电荷俘获存储器的特fJ--．ti)t。究 通过本章的研究，了解影响CTM写速度的因素，为提高CTM的写速度提供理 论指导。 第三章主要研究了CTM的过擦现象。主要通过对比研究Si3N4和Hf02擦写 操作后的微观表现，从而分析出CTM在Si3N。作为俘获层时，CTM发生过擦现 象的原因。本章首先通过计算Si3N4和Hf02中不同缺陷的形成能确定了氧(O)空 位和氮m)空位作为本章的研究模型；然后分别计算了这两种模型擦写后体系的 能量变化、Bader电荷和差分电荷、吸附能、态密度(DOS)，从而说明Si3N。在擦 写操作后，体系的电子数发生变化，相对于未进行擦写操作前结构中的电子数变 少，而Hf02则没有这种表现。最后，通过对比计算数据，表明CTM发生过擦 的原因是Si3N4中的原子对电荷的局域作用变弱。同时，本章还通过对Si3N。中 发生过擦的原子做替换处理，通过增加原子对电子的局域作用，使Si3N4的过擦 现象消失。本章主要计算了相互作用能、擦写Bader电荷和差分电荷密度、DOS， 从而说明通过提高电荷局域，可以使Si3N4作为俘获层时的CTM可以避免过擦， 以提高CTM的可靠性。 第四章主要是对本文的研究作结论总结，指出本文的研究意义。同时对未来 的研究方向作简单展望。 关键词：电荷俘获存储器；过擦：氮化硅；第一性原理 II 万方数据