2.1晶体管和放大电路基础--晶体管.pptVIP

2.1 晶体管;晶体管图片;硕鸳锑缄相饥膛姿愁惑呜跃号云炔相悬恳哑诅帮筒雍曝欣宋沽俩稼芯西囤2.1晶体管及放大电路基础--晶体管2.1晶体管及放大电路基础--晶体管;2.1.1 晶体管的结构;N;NPN型晶体管符号;2. PNP型晶体管结构示意图和符号;;(2) 集电区面积大。;2.1.2 晶体管的工作原理（以NPN型管为例）;1．发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态 ; (1) 电流关系;b. 基区向发射区扩散空穴;因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流可忽略不记。;c. 基区电子的扩散和复合;非平衡少子到达集电区;少子漂移形成反向饱和电流ICBO;晶体管的电流分配关系动画演示;发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。;定义;各电极电流之间的关系;晶体管共射极接法;定义;各电极电流之间的关系;或; 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 ;为共基极交流电流放大系数 ;uBE = ube + UBE;a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。;2．发射结正向偏置、集电结正向偏置——饱和状态 ;(5) UCE对IC的影响大， 当UCE增大，IC将随之增加。;(2) IC=ICBO;4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态;2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线 ;(1) 输入特性是非线性的， 有死区。 ;2．共射极输出特性 ;各区的特点;(3) 截止区;NPN管与PNP管的区别;硅管与锗管的主要区别;2.1.4 晶体管的主要电参数;2. 交流参数 ;3. 极限参数;不安全区;2.1.5 温度对管子参数的影响 ;思 考 题