第三章-双极型晶体管的频率特性.pptVIP

本章内容提要 基本概念（晶体管的交流小信号电流增益；描述晶体管频率特性的参数） 电流增益的频率变化关系（截止频率和特征频率） 高频功率增益和最高振荡频率 双极型晶体管的频率特性 3.1.1 晶体管的交流小信号电流增益 3.1.1.1 共基极电流增益 双极型晶体管的频率特性 上面定义的特征频率实质上描述了晶体管具有电流放大能力的频率极限，但还不是晶体管的极限使用频率。 再定义晶体管的功率增益下降为1（即输出功率=输入功率）时的频率为最高振荡频率fm， fm表示晶体管具有功率放大的频率极限。也是晶体管的极限使用频率，工作频率超过fm ，晶体管失去任何放大作用。 双极型晶体管的频率特性 3.2 电流增益的频率变化关系——截止频率和特征频率 3.2.1 交流小信号电流的传输过程 直流电流在晶体管内部的传输过程是： 发射极电流由发射结注入到基区，通过基区输运到集电结，被集电结收集形成集电极输出电流。在这个电流传输过程中有两次电流损失。对于交流小信号电流，其传输过程与直流情况有很大不同，一些新的因素开始起作用。 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 3.2.2.2 基区输运系数和基区渡越时间 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 3.2.2.3 集点结势垒区输运系数和集电结势垒区延迟时间 双极型晶体管的频率特性 3.2.2.4 集电区衰减因子和集电区延迟时间 双极型晶体管的频率特性 3.2.2.5 共基极电流增益及其截止频率 双极型晶体管的频率特性 3.2.3 共射极电流增益、β截止频率和特征频率 3.2.3.1 共射极电流增益和β截止频率 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 3.2.3.2 特征频率 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 提高特征频率的措施？ 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 双极型晶体管的频率特性 3.3.1.2 最佳功率增益 最佳功率增益是当晶体管的输出阻抗与负载相匹配；输入阻抗与信号 源阻抗相匹配时的功率增益。此时功率增益最大。 双极型晶体管的频率特性 3.3.2 晶体管的高频功率增益 3.3.2.1 高频功率增益表达式 双极型晶体管的频率特性 3.3.2.2 最高振荡频率和高频优值 双极型晶体管的频率特性 3.3.2.3 功率增益随工作点的变化 3.3.2.4 提高晶体管高频功率增益的途径 双极型晶体管的频率特性 习题： 1、已知某硅NPN缓变基区晶体管的基区宽度WB＝0.5微米，基区少子扩散系数DB＝20cm2s-1，基区自建场因子η＝10，试计算该晶体管的基区渡越时间τb。 2、某高频晶体管的β＝50，当信号频率f为30MHz时测得其|βω| ＝5。试求： （1）该晶体管的特征频率fT。 (2)当信号频率f分别为15MHz和60MHz时该晶体管的|βω|值。 双极型晶体管的频率特性 3.3 高频功率增益和最高振荡频率 晶体管的功率增益定义为晶体管的输出功率输入功率的比，以符号Gp表示为 分贝表示，则为 3.3.1 晶体管的功率增益 3.3.1.1 功率增益的一般表示式 计入信号源阻抗后的晶体管功率增益为 即功率增益是电流放大倍数与源电压放大倍数之积，其值可以从晶体管的h参数方程 和输入与输出回路的回路方程 共射组态晶体管的最佳高频功率增益为： 若计入延伸电极电容和管壳寄生电容等的贡献，CTc应以Cc代入。 若计入发射极引线电感和集电极寄生电容后，rB变成rB+πLefT 半导体器件物理 南京邮电大学光电工程学院 第三章 双极型晶体管的频率特性* 第三章 双极型晶体管的频率特性 半导体器件物理 Physics of Semiconductor Devices 前面讨论的是晶体管的静态特性(直流特性)，没有涉及其交流特性，也就是当一小信号重叠在直流值上的情况。小信号意指交流电压和电流的峰值小于直流的电压、电流值。 3.1 基本概念 频率响应 高频等效电路：图(a)是以共射组态晶体管所构成的放大器电路，在固定的直流输入电压VEB下，将会有直流基极电流IB和直流集电极电流IC流过晶体管，这些电流代表图(b)中的工作点，由供应电压VCC以及负载电阻RL所决定出的负载线，将以一1/RL的斜率与VCE轴相交于VCC。 双极型晶体管的频率特性 下图(a)是此放大器的低频等效电路，在更高频率的状况下，必须在等效电路中加上适当的电容。与正向偏压的p-n结类似，在正向偏压的射基结中，