SVF7N65T(F)说明书_1.3-L.pdfVIP

SVF7N65F 说明书 7A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF7N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用 士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越 的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF7N65T TO-220-3L SVF7N65T 无铅 料管 SVF7N65F TO-220F-3L SVF7N65F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 2012.01.04 Http:// 共8页 第1页 SVF7N65F 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 符 号 单位 SVF7N65T SVF7N65F 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V T = 25°C 7.0 C 漏极电流 ID A TC = 100°C 4.0 漏极脉冲电流 IDM 28.0 A 耗散功率（T =25°C ） 145 46 W C PD - 大于 25°C 每摄氏度减少