光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 - ’$$% - ， ， ， IW, 0 VW 0- S=X*, ’$$% （ ） #$$$;’8$.’$$%. $- .’$7;$% S+GS H/T)U+S )UVU+S ’$$% +Q*4 0 HQ@ 0 )WD 0 光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响! ! 余云鹏 林璇英 林舜辉 黄 锐 （汕头大学物理系，汕头 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$ % ’# ’$$ ## ( 报道了)*+, . / 等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜，在短时间光照或加上直流偏压后其室 - ’ 温暗电导随时间缓慢变化的行为0 12324 散射谱结果表明，薄膜的晶态体积比大于($ 5 0 暗电阻的实验结果显示： 材料具有弱的持久光电导效应；薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升，电场反向后出现暗电导的恢复 过程，而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关0 根据异质结势垒模型，指出外加条件下载流子的空间分离和 重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因0 关键词：微晶硅，电导率，薄膜 ： ， ， !## (%$6 (’7$+ (’8$ ：中著名的 效应规律相反 最近，我们还 2;)* / );L 0 #E 引 言 观察到在恒定的直流偏压下薄膜暗电导随时间而缓 慢变化，变化速度与偏压及测量温度有关0 对微晶 微晶硅薄膜不仅具有高的光吸收系数的优点， 硅薄膜这种电导变化行为的分析至今鲜见报道0 本 而且有低的光致衰减特性，在制作工艺上也容易实 文将采用两相结构的势垒模型对这一问题及短暂光 现低成本的大面积低温生长，能满足器件对稳定和 照后电导的衰减现象做一些探讨，这对于微晶硅薄 低价的要求0 因此，它是薄膜光伏电池和显示器件 膜电导的实验研究是有一定意义的0 ［— ］ 领域中一种重要的半导体材料# 0 这类非晶相和 晶相两相共存的硅材料，其微观传导机制有别于非 ’ E 实验方法 晶硅和单晶硅 随着膜内晶粒大小和结晶度的改 0 变，它的导电和稳定特性有很大变化0 多晶硅一般 采用频率 # E% M/N 的H:+IJ 方法制备微晶 ［ ］ 具有几十纳米以上的晶粒和相当小的晶界，电导率