半导体物理习题解答第四章.doc

第4章 半导体的导电性 2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V?s和500 cm2/V?s。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率比本征Si的电导率增大了多少倍？ 解：将室温下Si的本征载流子密度1.5?1010/cm3及题设电子和空穴的迁移率代入电导率公式 即得： ； 已知室温硅的原子密度为5?1022/cm3，掺入1ppm的砷，则砷浓度 在此等掺杂情况下可忽略少子对材料电导率的贡献，只考虑多子的贡献。这时，电子密度n0因杂质全部电离而等于ND；电子迁移率考虑到电离杂质的散射而有所下降，查表4-14知n-Si中电子迁移率在施主浓度为5?1016/cm3时已下降为800 cm2/V?s。于是得 该掺杂硅与本征硅电导率之比 即百万分之一的砷杂质使硅的电导率增大了1.44亿倍 5. 500g的Si单晶中掺有4.5?10-5g的B，设杂质全部电离，求其电阻率。 （硅单晶的密度为2.33g/cm3，B原子量为10.8）。 解：为求电阻率须先求杂质浓度。设掺入Si中的B原子总数为Z，则由1原子质量单位=1.66?10-24g算得 个 500克Si单晶的体积为，于是知B的浓度 ∴ 室温下硅中此等浓度的B杂质应已完全电离，查表4-14知相应的空穴迁移率为400 cm2/V?s。故 6. 设Si中电子的迁移率为0.1 m2/(V.s)，电导有效质量mC=0.26m0，加以强度为104V/m 解：由迁移率的定义式知平均自由时间 代入相关数据，得 平均自由程： 8. 截面积为0.001cm2的圆柱形纯Si样品，长1mm，接于10V的电源上，室温下希望通过0.1A的电流，问： = 1 \* GB3 ①样品的电阻须是多少？ = 2 \* GB3 ②样品的电导率应是多少？ = 3 \* GB3 ③应该掺入浓度为多少的施主？ 解： = 1 \* GB2 ⑴由欧姆定律知其电阻须是 = 2 \* GB2 ⑵其电导率由关系并代入数据得 = 3 \* GB2 ⑶由此知该样品的电阻率须是1??cm。查图4-15可知相应的施主浓度大约为5.3?1015 cm-3。 若用本征硅的电子迁移率1350cm2/V?s进行计算，则 计算结果偏低，这是由于没有考虑杂质散射对的影响。按n0=5.3?1015 cm-3推算，其电子迁移率应为1180cm2/V?s 因为硅中杂质浓度在5?1015 cm-3左右时必已完全电离，因此为获得0.1A电流，应在此纯硅样品中掺入浓度为5.3?1015 10. 试求本征Si在473K时的电阻率。 解：由图4-13查出T=473K时本征硅中电子和空穴的迁移率分别是 ， 在温度变化不大时可忽略禁带宽度随温度的变化，则任意温度下的本征载流子密度可用室温下的等效态密度NC(300)和NV(300)、禁带宽度Eg(300)和室温kT=0.026eV表示为 代入相关数据，得 该值与图3-7中T=200℃（473K）所对应之值低大约一个数量级，这里有忽略禁带变窄的因素，也有其他因素（参见表3-2，计算值普遍比实测值低）。 将相关参数代入电阻率计算式，得473K下的本征硅电阻率为 注：若不考虑T=473K时会出现光学波散射，可利用声学波散射的规律计算T=473K的载流子迁移率： ， 将置换以上电阻率计算式中的，得 11. 截面积为10-3cm2，掺有浓度为1013cm-3的P型Si样品，样品内部加有强度为103 = 1 \* GB3 ①室温时样品的电导率及流过样品的电流密度和电流强度。 = 2 \* GB3 ②400K时样品的电导率及流过样品的电流密度和电流强度。 解： = 1 \* GB2 ⑴该样品掺杂浓度较低，其室温迁移率可取高纯材料之值，其电导率 电流密度 电流强度 = 2 \* GB2 ⑵ T=400K时，由图3-7（旧版书，新版有误差）查得相应的本征载流子密度为8?1012/cm3，接近于掺杂浓度，说明样品已进入向本征激发过渡的状态，参照式(3-60)，其空穴密度 电子密度 利用声学波散射的规律计算T=400K的载流子迁移率: ， 于是得400K时的电导率 相应的电流密度 电流强度 16. 分别计算掺有下列杂质的Si在室温时的载流子浓度、迁移率和电导率： = 1 \* GB3 ① 硼原子3?1015cm-3； = 2 \* GB3 ② 硼原子1.3?1016cm-3，磷原子1?1016cm-3； = 3 \* GB3 ③ 磷原子1.3?1016cm-3，硼原子1?1016cm-