第三章-双极结型晶体管-湖南城市学院.pptVIP

3.9混接 型等效电路 3.8晶体管的频率响应 三、集电结耗尽层渡越时间 是集电结耗尽层的总厚度， 是载流子越过集电结耗尽层的饱和速度。 （3-8-13） 四、集电结电容充电时间 集电结处在反向偏压下使得与结电容并联的电阻很大。结果是，充电时间常数由电容 CTC和集电极串联电阻rSC所决定： （3-8-14） 由于重掺杂的外延衬底，图（3-1）中平面型外延晶体管的集电极电阻很小， 因而可以忽略。但在集成晶体管中应把它计算进去。 3.8晶体管的频率响应 （3-8-15） 截止频率 等于从发射极到集电极的信号传播中的全部时间延迟的倒数。因而有 截止频率对工作电流的依赖关系： 1.当发射极电流增加时，发射结时间常数 变得更小，因此式（3-8-15）中的 增加。这说明，频率特性的改进可以通过增加工作电流来实现。 3.9混接 型等效电路 图3-21 H-P模型中NPN型双极晶体管的横截面图 3.9混接 型等效电路 图3-22 H-P模型等效电路中的组成部分 图3-23 H-P模型等效电路（neamen，2005） 图3-25 VE，QB和Ic之间关系的示意图 图3-24混接 型等效电路 图中各参数的意义如下： 一、跨导 （3-9-1） 它反映了发射结电压对集电极电流的调制。 （3-9-3） 二、正偏发射结扩散电导： （3-9-4） 它是正偏发射结电阻（也叫做PN结扩散电阻）的倒数。 略去空间电荷区复合电流及因子1 于是 （3-9-5） （3-9-6） （3-9-7） 三、扩散电容： 贮存在基区的总电荷为 （3-9-8） （3-9-11） 故 四、耗尽层电容 CTE、 CTC 。 五、基区扩展电阻 rb’b 可以证明共发射极短路电流增益的截止频率为 （3-9-12） 3.9混接 型等效电路 对于CDCTE+CTC的情形，增益—带宽乘积为 （3-9-13） 注意增益—带宽乘积与上节中均匀基区晶体管的基区渡越时间的倒数是完全相同的。 开关时间是指晶体管状态从关变为开或从开变为关所需的时间，图(a)显示一输入电流脉冲在t＝0时加在射基端点上，晶体管导通在t＝t2时，电流瞬间转换到零，晶体管关闭。集电极电流的暂态行为可由储存在基区申的超量少数载流子电荷QB(t)来决定，图(b)是QB(t)与时间的关系图。在导通的过程中，基区储存电荷将由零增加到QB(t2)；在关闭的过程中，基区储存电荷由QB(t2)减少到零。 开关暂态过程 双极型晶体管的频率响应与开关特性 当QB(t)＜Qs时，晶体管工作于放大模式下，其中Qs是VCB=0时基区中的电荷量[如图(d)，在饱和区的边缘]。 IC对时间的变化显示在图(c)中。在导通的过程中，基区存储电荷量达到Qs，电荷量在t=t1时达到饱和区边缘。当QBQs时晶体管进入饱和模式，而发射极和集电极电流大致维持定值。图(d)显示在tt1时，空穴分布pn(x)与t=t1时平行，所以在x=0和x=W处的空穴浓度梯度即电流维持相同。在关闭的过程中，器件起初是在饱和模式下，集电极的电流大约维持不变，直到QB降至Qs，如图(d)。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 由t2到QB=Qs时的t3这段时间称为存储延迟时间。当QB=Qs，器件在t=t3时进入放大模式，在这个时间点之后，集电极电流将以指数形式衰减到零。 导通的时间取决于能如何迅速地将空穴(p-n-p晶体管中的少数载流子)加入基极区域，而关闭的时间则取决于能如何迅速地通过复合将空穴移除。晶体管开关时最重要的一个参数是少数载流子的寿命τp，一个有效降低τp、使转换变快的方法是加入接近禁带中点的产生-复合中心。 双极型晶体管的频率响应与开关特性 * * * * * * * * * * * * * * 下图中显示出一理想的p-n-p晶体管在放大模式下的各电流成分。设耗尽区中无产生-复合电流，则由发射区注入的空穴将构成最大的电流成分。 电流增益 大部分的入射空穴将会到达集电极而形成Icp。基极的电流有三个，即IBB、IEn以及ICn。其中IBB代表由基极所供应、与入射空穴复合的电子电流(即IBB=IEp-ICp)；IEn代表由基区注入发射区的电子电流，是不希望有的电流成分；ICn代表集电结附近因热所产生、由集电区流往基区的电子电流。 双极型晶体管的电流增益 晶体管各端点的电流可由上述各 个电流成分来表示 晶体管中有一项重要的参数，称为共基电流增益，定义为 因此，得到 双极型晶体管的电流增益 第二项称为基区输运系数，是到达集电极的空穴电流量与由发射极入射