半导体制冷技术理论简介收藏.docVIP

半导体制冷技术理论简介 半导体制冷技术理论简介 半导体致冷亦称电子致冷也叫温差致冷，是由半导体所组成的一种冷却装置，於1960年左右才出现，然而其理论基础帕尔帖效应可追溯到19世纪。如图： 　　这是由 X 及 Y 两种不同的金属导线所组成的封闭线路，通上电源之後，冷端的热量被移到热端，导致冷端温度降低，热端温度升高，这就是著名的帕尔帖效应。它是建立在帕尔帖效应的原理基础上，这个古老的温差电现象早在19世纪初期帕尔帖就发现铋—锑组成的热电偶，帕尔帖效应很显著。塞贝克也收集了少量的半导体材料，都因温差电动势，数值小，无实用价值。因此，帕尔帖效应发现后的一百多年里，这个效应一直无法到应用。　　直到本世纪五十年代，苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究，于一九五四年前发表了研究成果，表明碲化铋化合物固溶体有良好的致冷效果。这是最早的也是最重要的热电半导体材料，至今还是温差致冷中半导体材料的一种主要成份。约飞的理论得到实践应用后，有众多的学者进行研究到六十年代半导体致冷材料的优值系数，达到相当水平，才得到大规模的应用，也就是我们现在的半导体致冷器件。　　我国半导体致冷技术始于50年代末、60年代初。当时在国际上也是比较早的研究单位之一。60年代中期，半导体材料的性能达到了国际水平，60年代末至80年代初是我国半导体致冷器技术发展的一个台阶。在此期间，一方面研究半导体致冷材料的高优值系数，另一方面拓宽其应用领域。中国科学院半导体研究所投入了大量的人力与物力，获得了半导体致冷器。因而才有了现在的半导体致冷器的生产及其二次产品的开发和应用。 　　半导体致冷器件结构示意图： ? ? 半导体致冷原理简述 　　1、半导体致冷的原理：把一个N型和P型半导体的粒子用金属连接片焊接而成一个电偶对。当直流电流从N极流向P极时，2.3端上产生吸热现象，此端称冷端而下面1.4端产生放热现象，此端称热端如果电流方向反过来，则冷热端相互转换。由于一个电偶产生热效应较小（一般约 IKcal／h）所以实际上将几十。上百对电偶联成的热电堆。 所以半导体的致冷即一端吸热一端放热，是由载流子（电子和空穴）流过结点，由势能的变化而引起的能量传递，这是半导体致冷的本质。 　　2、半导体致冷的过程：电子由负极出发经过金属片流向P点4，到P型，再流向P点3，结点金属片从结点2，到达N型，再返过结点1，到达金属片回到电源正极。由于左半部是P型，导电方式是空穴，空穴流动方向与电子流动方向相反，所以空穴是结点3金属片，到P型，再到结点4金属片，最后到电源负极。结点4金属中的空穴具有的能量低于P型中空穴能量， 当空穴在电场作用下要从3到达P型，必须要增加能量，并把这部分势能转蛮为空穴的垫能。因而在结点3处的1金属被冷却下来，当空穴流向4时，金属片曲于P型中空穴能量太子金属中空穴的能量，因而要释放多余的势能，要将热放出来这4处的金属片是被加热。右半部是N型，与金属片联接是靠自由电子导电的，而在结点2金属中势能低于N型电子势能，当自由电子在电场作用1电子通过结点2到达 N型时必然要增加垫能，这部分势能只能从金属片势能取得，同时必然使结点2金属片冷下来。当电子由N型流向结点1金属片时， 由于电子从势能较高的地方流向势能低处，故要释放多余的垫能。并变成热能，在结点1处使金属片加热，是热端。 　　3、半导体致冷器件的性能：在应用致冷器前，要进一步的了解它的性能，实际上致冷器的冷端从周围吸收的热Qл外，还有两个，一个是焦耳热Qj，另一个是传导热Qk。电流从元件内部通过就产生焦耳热，焦耳热的一半传到冷端另一半传到热端，传导热从热端传到冷端。 　　　　 产冷量Qc=Qπ-Qj-Qk =（2p-2n）.Tc.I-1/2j2R-K（Th-Tc）　　　　　　 （式中，R表示一对电偶的总电阻，K是总热导。 ）　　　　 热端散掉的热Qh=Qπ+Qj-Qk =（2p-2n）.Th.I+1/2I2R-K（Th-Tc） 　　从上面两公式中可以看出，输入的电功率恰好就是热端散掉的热与冷端吸收的热之差，这就是“热泵”的一种： 　　　　Qh-Qc=I2R=P 　　由上式得出一个电偶在热端放出的热量Qh等于输入电功率与冷端产冷量之和，相反得出冷端产冷量Qc等于热端放出的热量与输入电功率之差。 　　　　Qh=P+Qc 　　　　Qc=Qh-P ? 半导体制冷组件的应用 　　半导体致冷器作为特种冷源，在技术应用上具有以下的优点和特点： 　　 1、不需要任何致冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，没有滑动部件是一种固体器件，工作时没有震动、噪音、寿命长，安装容易。　　 2、半导体致冷器具有两种功能，既能致冷，又能加热，致冷效率一般不高，但致热效率很高，永远