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第卷第期半导体学报年月注氮工艺对器件电特性的影响张国强刘忠立李宁范楷郑中山张恩霞易万兵陈猛王曦中国科学院半导体研究所北京中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海摘要研究了氮离子注入对器件电特性的影响氮注入的埋氧层并退火后将减小前栅的阈电压提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小氮注入方式对器件的特性有重要影响关键词氮中图分类号文献标识码文章编号至功能失效严重影响了器件在辐射环境引言中使用的可靠性因此研究并制备具有较少埋氧层和界面缺陷的衬底材料是提高器件技术是在绝缘二氧化性能的关键所在硅衬底上的薄
第 26 卷 第 4 期 半 导 体 学 报 Vol . 26 No . 4
2005 年 4 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Ap r . ,2005
注氮工艺对 SIMOX 器件电特性的影响
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