Lithography制作流程.PDF

Lithography製作流程 晶圓製作 (前段) 啟始晶圓 薄膜 研磨 未圖案化晶圓 完成的晶圓 擴散 黃光 蝕刻 測試/分類 植入 (Used with permission from Advanced Micro Devices) 微機電概論 C-K Liang 微影 (Lithography)製程 微機電概論 C-K Liang 步驟1~3 1.表面清洗:表面清洗是去除晶片表面氧化 物、雜質、油質及水分子。 2.去水烘烤是將晶片表面所吸附的水分子蒸發，所以通常會: 將晶片置於加溫的環境中數分鐘，以利後續的光阻塗佈。 3.塗底在晶片上塗上一層化合物: HMDS ，用來增加光阻與晶 片表面附著的能力。 純水機 感光劑旋轉塗佈機 微機電概論 C-K Liang 步驟4 4.光阻通常是以液態的形式存在，一般主要是由樹 脂，感光劑及溶劑等三種不同成分所組成，其中 樹脂的功能是做為黏合劑，感光劑則是一種光活 性極強的化合物，兩者一起溶於溶劑內，光阻可 依其顯影後之圖形與光罩上圖形呈相同或明暗互 補之差別，而分為「正光阻」 (Positive Resist)與 「負光阻」(NegativeResist)兩種 。 微機電概論 C-K Liang 步驟4 光罩對準與曝光 微機電概論 C-K Liang 步驟5~6 5.軟烤 是將晶片上光阻層溶劑去除，並使光阻: 由原來的液態，經過軟烤之後，而成為固態的 薄膜，已加強光阻層對晶片表面的附著能力。 6.即是圖案之轉移，將光罩上定義好的圖案，完 全轉移至光阻上，目前工業界發展出三種型式 的曝光系統： 微機電概論 C-K Liang 步驟6 (1)接觸式(Contact) 微機電概論 C-K Liang 步驟6 (2)近接式 (Proximity) 微機電概論 C-K Liang 步驟6 (3)投影式 (Projection) 微機電概論 C-K Liang 步驟6 比較 微機電概論