60%电光效率高功率激光二极管阵列 high power laser diode array with 60%electro-optical efficiency.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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60%电光效率高功率激光二极管阵列 high power laser diode array with 60%electro-optical efficiency.pdf

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60%电光效率高功率激光二极管阵列 high power laser diode array with 60%electro-optical efficiency

第35卷第9期中国激光 VoI．35，No．9 2008年9月 CHINESE OFLASERS September，2008 JOURNAL 文章编号：0258—7025(2008)09—1323—05 60％电光效率高功率激光二极管阵列王俊1 白一鸣2 崇锋1 刘媛媛1 冯小明1 王勇刚1 张广泽1 刘素平1 马骁宇1 (中国科学院半导体研究所1光电子器件国家工程中心，2半导体材料重点实验室，jE京100083) 摘要设计并制备了980nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1cm激光二极管阵列在连续(Cw)工作条件下最大电光效率达到60．0％。相应的斜率效率和输出光功率分别为1．1w／A 和38．2 w。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0．58cm一1和91．6％。测试分析表明。器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs／GaAsP应变补偿茸子阱和大光腔结构设计。关键词半导体激光器；电光效率；InGaAs／GaAsP量子阱；大光腔中图分类号TN248．4 文献标识码A doi：10．3788／CJ1323 LaserDiode Power with High Array60％Electro-OpticalEfficiency WangJunlBai Liu Yimin92ChongFen91 YuanyuanlFengXiaomin91 WangYonggan91Zhang Liu Ma GuangzelSupin91Xiaoyul National ResearchCenter Device，2 Engineering forOptoelectronicKeyLaboratoryof ，1 Semiconductor、、Materials Science，InstituteSemiconductors，Chinese 100083，China， of AcademyofSciences，Beijing AbstractThe materialand for am device andsmall loss980 laserdiode epitaxy highquantumefficiency optical (LD)wereand l bar fabricated．Themaximal conversion ofthestandardcmlaser designed electro-opticalefficiency withmicro-channelcooleris60．0％under condition。the continuous—wave(CW)workingcorrespondingslope and are and efficiencyoutputpower1．1W／A 38．2 me