单点光学终点检测系统的研究 study on the single point optical endpoint detection.pdfVIP

第4期 微细加工技术 №．4 2008年8月 MICROFABRICATIONTECHNOLOGY Aug．。2008 文章编号：1003—8213(2008)04-0022-03 单点光学终点检测系统的研究 周国安，柳滨，王学军，种宝春 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊101601) 摘要：为了使CMP抛光精度更为精确，根据光学干涉原理设计了单点光学终点检测装置，给出了整套检测系统的 简图和处理流程。在理想条件下，仿真单点光学检测的相干相位及反射率迹线，得出反射率迹线与抛光掉的透明 层存在着函数关系，在实际务件核实了二者之间映射情况。采用九点测量后确认此函数条件下的单点光学终点检 测具备高度的精确性，在此基础上推测了抛光头吸附晶圆以设定频率摆动情况下，光学传感器采集与处理数据的 方法和过程。实际工艺操作证明，在综合运动条件下，其精度也达到要求。 关键词：化学机械抛光；离线终点检测；在线终点检测；光学干涉；反射率迹线 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 相近的抛光，并且很可能随着浆料和抛光垫等条件的变化而 1引言 导致误判断。 利用光学方法进行实时终点检测是目前最具发展前景的 CMP(化学机械平坦化)技术是在晶圆的表面上，将其凸 在线监测技术，各大CMP设备厂商投入许多人力、物力开展 出部分均匀少量连续地去除，使之平整，但去除的薄膜厚度需 此研究。该技术应用领域广阔。 高确控制，若未能有效地监测CMP运作，便无法避免晶圆抛 光过度或不足的情况。因此，对于硅片CMP终点检测是十分 2单点光学终点检测原理及实验 关键和不可或缺的。根据终点检测的特点可以分为基于时间 要检测抛光的终点，需要实时得到被抛光薄膜的厚度。 的离线终点检测技术和实时在线检测技术，目前的第三代 根据光学干涉原理设计了一种针对SiO：薄膜的CMP在线终 CMP机型主要采用后者。 基于时间的离线终点检测由于不能有效避免抛光不足或 点检测装置。利用SiO：薄膜上下两个表面反射回来的干涉 过度抛光的产生，在离线检测时还容易对抛光处理后的硅片 光，可以计算得到Si02薄膜的厚度，以确定抛光进度。当 表面造成损伤、刮伤和污染。而且耗费时间长，生产率低，导致 si02薄膜的厚度达到期望值时，即可终止抛光，实现CMP在 硅片的产量减少，成本提高，主要在直径≤200mm硅片的加 线终点检测，如图1所示。由图可以看到，第一次反射光和第 工中应用，已不能满足当前大直径硅晶片自动化加工需要…1。 二次反射光之间由于路程差而形成干涉，当二者具有相同相 CMP在线终点检测一直是半导体产业关注的焦点。在 位时，这是一种建设性的干涉，传感器接受到最大信号；二者 CMP过程中，由于硅片被抛光表面完全向下靠在抛光垫上， 异相时，这是一种相瓦毁坏性的干涉，传感器上检测到的是最 使得对硅片抛光的在线实时监测非常困难。 小值。其他相位关系可以表示为传感器最小和最大之间的干 在第一代和第二代CMP机中，绝大多数的终点检测都 涉信号，它随着薄膜的厚度、结构及芯片层种类而发生变化。 采用电机电流终点检测技术【2j，此方法的原理是当硅晶片抛 3单点光学终点检测原理 光达到终点时，根据抛光垫接触的薄膜材料不同，导致晶片与 抛光垫的摩擦系数发生显著变化，从而使抛光头或抛光台的 单点光学终点检测原理如图2所示。由图可见。入射光 回转力扭变化，其驱动电