基于MSP430单片机的稳功率半导体激光器的设计分析.doc

全日制本科生学年论文 ` 题 目： 基于MSP单片机的稳功率半导体激光器的设计 学 院： 物理与电子工程 专业年级： 2011级电子信息科学与技术 学生姓名： 学号： 指导教师： 职称： 2014年 5 月 22 日 基于MSP43单片机的稳功率半导体激光器的设计 物理与电子工程学院 电子信息科学与技术专业 2011级 冉佳弘 指导教师 范嗣强 摘要: 使用16位低功耗的单片机 MSP 430 F169 对半导体激光器进行控制, 采用APC的控制方式,通过功率的采样值与设定值的比较来控制驱动电流的大小,最后形成一个闭环的负反馈回路。为保护该半导体激光器而实施了慢启动、慢关闭以及限压和限流等保护措施。经实验测定,该系统的功率稳定度为 0.5% -0.7% 。 关键词:半导体激光器; 自动功率控制; MSP 430 F169 Abstract: With 16 bit and low power MSP 430F 169 microprocessor,a semiconductor is controlled in APC mode. The sampled power is compared with the given value to adjust the driving current and anegative feedback loop control system for semiconductor laser is formed. To protect the semiconductorlaser , slow
start , slow
end ,current and voltag elimitation are designed. The results show that the power stability of the system is 0.5 % ~ 0.7% . Key words: semiconductor laser ; APC; MSP430F169. 引
言 半导体激光器( L D) 具有体积小、重量轻、价格低、驱动电源简单且不需要高电压( 2.5 V)等独特优点,目前广泛应用于光纤通讯、集成光学、激光印刷、 激光束扫描等技术领域。然而, 由于目前的半导体激光器在设计、材料、工艺等方面的原因,在实际使用过程中器件很容易损坏,降低了设备运行的可靠性,影响其进一步的推广应用, 因此,对半导体激光器保护的研究具有广泛的应用值。 1 半导体激光器的结构特点和工作特性 半导体激光器的结构如图 1 所示。 图1 半导体激光器的结构 图中激光二极管( LD )是正向接法,光电二极管( PD )是反向接法。当向 LD 中注入一定的电流时, LD 就会发出激光, PD受光后转换出的光电流,若给PD 串联一电阻，其电压值就反映出LD 光功率的大小。 半导体激光器的发光功率与通过的电流关系如图 2 所示。 图2 输出功率与驱动电流的关系 从图中可以看出,在某一温度下,当驱动电流低于阈值电流时,激光器输出光功率P近似为零,半导体激光器只能发出荧光;当驱动电流高于阈值时输出激光,并且光输出功率随着驱动电流的增大而迅速增加,并近似呈线性上升关系。
因此,对LD的驱动电流进行控制,可达到稳定发光功率的目的。 2 半导体激光器使用时失效的原因及分析 在正常条件使用下的半导体激光器有很长的工作寿命。然而,半导体激光器也是很容易被损坏的,即在不适当的工作条件下,会造成性能的急剧下降乃至失效。半导体激光器的突然失效可由PN 结被击穿或用作谐振腔面的解理面遭受破坏而造成,视其击穿或破坏程度而表现为输出功率减小或无输出。 统计表明,半导体激光器突然失效,有一半以上的几率是由于浪涌击穿。所谓浪涌,是一种突发性瞬态电压或电流脉冲,它的脉冲宽度甚至可以短到纳秒数量级,瞬时幅值可达到几万伏或几百安培。半导体激光器的核心是PN 结,如果它承受的反向电压超出其允许值,将会使PN结击穿,在瞬态电压下的正向过电流所产生的光功率可以使解理面损伤;如果承受的正向电流超出了它的允许最大电流值,重则立即烧毁,轻则性能受到影响,发光暗淡,无法正常使用。 3 系统软硬件设计 半导体激光器在某些高精度测量应用中,对驱动电路的稳定度和调制精度要求很高,因此,一般调制信号主要由单片机控制高精度的数模转换器件来产生。如果选用分立器件,不仅成本高、电路较为复杂,电路稳定性较差,更重要的是电路体积不能做得很小,不能体现半导体激光器体积小的特点,而且还可能对半导体激光器造成威胁。所以,整个系统采用的微处理器为超低功耗的16位单片机MSP430系