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单晶硅太阳能电池硅和电极电欧姆接触 2001年3月 第22卷第1期 贵金属 Precious Metals Mar 2O0l Vol 22．No． 1 单晶硅太阳能电池硅和电极间的欧姆接触’ 谭富彬赵玲陈亮维蔡云卓黄富春李 茜 (昆明贵金属研究所，中国昆明6s0~1) OhmicContact betweenMonoerystalline Silicon andEkmtrodein SolarCell Tan Fubin， Iang，Chin Liangwei， Yunzhuo，胁Ⅷ n ，Li Oan (KunminglmtitutedPreciousMetals， T崦65022．1，China) Abstract：The slntering process between monoc~-stalline silicon and silver paster or aluminium paster or silver— aluminitml p~ter wflt~observed and analyzed by metallography，X —ray difraction and diferenfal thermal analysis．The resudts show that alloys have fonned between them， the Sehottky B es has eliminated andthe Ohmic colata~-R has estab[ished be en silicon and e[eetr~ e． Keya~rds：Monocrystalline silicon；Solar cell； Silicon；Electrode；Ohmic contact 摘要：通过样品横断面金相观察，rig—DTA厦x一射线衍射分析，证明单晶硅和银荣、 铝策(银铝策)在烧结过程中形成舍金，消除硅和电极间的肖特基势垒，使电极和硅形成欧 姆接触 关键词：单晶硅；太阳能电池；硅； 电极；欧姆接触 中图分类号：TM615 文献标识码：A 文章编号：1004—0676(2001)01—0012—05 太阳能是取之不尽，无污染、无噪音的新能源。随工业发展及人类括动的增加，地下矿物能源 日趋短缺，开发、利用太阳能已是当务之急。太阳能电池是开发、利用太阳能的手段之一，它是直 接将太阳能变成电能的半导体器件，然后组装成不同电压、电流与功率的装置，从而使人们获得新 能源。电池可以用于空间技术、兵站、航标及其他缺电无电的边远地区。电池的电极引出线通过蒸 镀、化学镀、压结、印 Ⅱ烧结的方法获得。不管那种方法，要消除电极和硅问的肖特基势垒，形成 欧姆接触。本文重点讨论用厚膜工艺印刷、烧结后和硅生成台金，使电极和硅形成欧姆接触_1 J。电 池栅极(受光面)是掺杂了其他元素的银电极，背场电极(背阳面)用铝电极及银铝电极。作者通过电 极和硅形成合金，从而使硅和电极间消除了肖特基势垒，实现欧姆接触。这样拓宽了厚膜浆料的应 用范围(即印刷在导电基片上)，也提高了硅太阳能电池的生产效率 。 1 实 验 l_1 银电极的制备：选用粒度≤0．2t．tm的银粉，掺杂少量过渡族或Ⅳ 、V族元素，按比例加入玻 璃粉，再用乙基纤维素松油醇配成厚膜浆料，丝网漏印在单晶硅片上。烘干、在700~C左右烧结后 得硅太阳能电池受光面栅极，呈欧姆接触，用铅锡浆载流焊得引出线。 收精日期：19 1O—l1 基金项目：云南省科委应用基础研究资助项目(1993—06) 维普资讯 谭富彬等：单晶硅太阳能电池硅和电极同的欧姆接触 1．2 铝电极的制备：将粒度≤10tma的铅粉 按比例加人玻璃粉，再加人乙基纤维素松油醇制成浆 料。然后经印刷、烘干，65ooc左右烧结后得硅太阳能电池背场电极，呈欧姆接触。 1．3 银铝电极的制备：选择粒度≤10tma的铝粉，按比例和粒度≤0．2inn的银粉混合，加入玻璃 粉，再用乙基纤维素松油醇混合得浆料。然后丝网漏印、烘干在硅片上，经650~C左右烧结得背场 银铝电极，呈欧姆接触，用铅锡浆载流焊得引出线。 I．4 金相样品的制备：将已烧结的Ag—Si、AgAl—Si、A1一Si片放在镶样粉中，加热压结成块，经 金相制样，然后用MeF2万能金相显微镜，在明场条件观察其界面。 I．5 TG—DTA实验：将印刷烘干未烧结的Ag—Si、AgAl—Si、A1一Si电极，在Thennofler TG—DTA 上进行升温测定，加热速度1OK／rain，热重灵敏度为2mg满刻度，差热灵敏度-i-50ttV满刻度，图速 2．5ram／rain，气氛为静态空气。3种电极测试用量分别为14．6mg、l8．4mg、18．5rag，参比物 03 粉，样品皿均为 坩