pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化-东南大学学报.PDFVIP

第４１卷第３期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４１Ｎｏ．３ 　 ２０１１年５月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｍａｙ２０１１ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１１．０３．０１８ ｐＬＥＤＭＯＳ导通电阻及阈值电压的热载流子退化 １，２ ３ ３ ３ 郑维山 　 孙　虎　 刘斯扬　 孙伟锋 １ （南京大学电子科学与工程学院，南京２１００９３） ２ （南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京２１００９３） ３ （东南大学国家ＡＳＩＣ系统工程技术研究中心，南京２１００９６） 摘要：研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层ｐＬＥＤＭＯＳ器件由热载流子效 应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理．实验结果表明，增加漂移区长度能改善器件的 导通电阻的退化，但加速了阈值电压的退化；增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电 压的退化．借助ＴＣＡＤ仿真软件，模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的ｐＬＥＤＭＯＳ 器件的离子产生率和纵向电场，模拟结果解释了各种退化现象的机理，同时表明碰撞电离率和纵 向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段． 关键词：ｐＬＥＤＭＯＳ；热载流子注入；导通电阻；阈值电压；退化 中图分类号：Ｘ７０３　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１１）０３０５２２０４ ＯｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｎｄｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅｈｏｔｃａｒｒｉｅｒｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｏｆｐＬＥＤＭＯＳ １，２ ３ ３ ３ ＺｈｅｎｇＷｅｉｓｈａｎ 　ＳｕｎＨｕ　ＬｉｕＳｉｙａｎｇ　ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ １ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｃｅｅｒｉｎｇ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ） ２ （ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＡｄｖａｎｃｅｄＰｈｏｔｏｎｉｃａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ） ３ （ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｌｅｎｇｔｈｏｆｔｈｅｄｒｉｆｔｒｅｇｉｏｎａｎｄｔｈｅｆｉｅｌｄｐｌａｔｅｕｐｏｎｈｏｔｃａｒｒｉｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ（Ｒ ）ａｎｄｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅ（Ｖ）ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｉｎｐｔｙｐｅｌａｔｅｒａｌｅｘｔｅｎｄｅｄｄｒａｉｎ ｏｎ ｔｈ ＭＯＳ（ｐＬＥＤＭＯＳ）ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｗｉｔｈｔｈｉｃｋｇａｔｅｏｘｉｄｅｈａｓｂｅｅｎｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｉｔｉｓｃｏｎｃｌｕｄｅｄｔｈａｔｉｎｃｒｅａｓ ｉｎｇｔｈｅｌｅｎｇｔｈｏｆｄｒｉｆｔｒｅｇｉｏｎｃａｎｒｅｄｕｃｅｔｈｅＲ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｂｕｔｅｎｈａｎｃｅｔｈｅＶｔｈｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ．Ｈｏｗｅｖ