IC工艺Ch-3硅单晶的生长与硅片加工.pptVIP

Chapter 3 Single-Crystal Growth Wafer Preparation 硅单晶的生长与硅片加工 本章重点掌握： 1、什么是CZ-Si、FZ-Si、MCZ-Si、NTD-Si？基本工艺原理、材料特点和用途？ 2、GaAs等化合物半导体材料生长的工艺特点？ 3、什么是分凝效应？对材料工艺有什么影响？ 4、NTD-Si的制备中，高纯Si在反应堆中经热中子辐照后，为什么还要进行退火处理？ 5、晶片的加工的主要工艺流程是什么？ 6、什么是杂质吸出工艺？什么是氧内吸出工艺？期工艺原理和工艺过程是什么？ 7、材料参数测量？ 3.1 Phase Diagram —Phase-change, Solid Solubility Segregation 相图—相变、固溶度与分凝 3.1.1Phase Diagram (9-12页） 基本性质 Lever rule（杠杆法则） 相律 P+F=C+2 P:系统中的相数 F:自由度 C:组元数 三相点 无限互溶（F 2.3） 3.1.2 Impurity Solid Solubility (12页、p.12-阅读） 最大固溶度 Frozen-in Precipitation Quenching 3.1.3 Phenomenon of Segregati