ITO薄膜微结构对其光电性质的影响.doc

第 43 卷 　第 4 期 厦门大学学报 (自然科学版) Vol . 43 　No . 4 　2004 年 7 月 Jo ur nal of Xiamen U niversit y ( Nat ural Science) J ul . 2004 　 文章编号 :043820479 (2004) 0420496204 I TO 薄膜微结构对其光电性质的影响 曾明刚1 ,陈松岩1 ,陈谋智1 ,王水菊2 ,林爱清1 ,邓彩玲1 (1 . 厦门大学物理学系 ,2 . 厦门大学分析和测试中心 ,福建 厦门 361005) 摘要 : 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟 ( I TO) 薄膜 ,用 X 射线衍射 ( XRD) 、X 射线光电子能谱 ( XPS) 技术和电导率 、透射光谱测试技术 ,研究真空低温退火后 I TO 薄膜微结构 、薄膜电导率 、光谱透射率的变化. 研究表 明 ,真空低温退火使得晶体微结构得到改善 ,晶体呈 (222) 择优取向 ,晶体的结晶颗粒变大. 不同价态的 Sn 对 In3 + 的 替代引起晶格结构和 I TO 薄膜的载流子浓度的变化 ,从而影响到薄膜的导电性和透射率 ,证明了真空退火下氧化铟 薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因 ,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考. 关键词 : 掺锡氧化铟 ( I TO) 薄膜 ;磁控溅射 ;微结构 中图分类号 : TB 43 ; TN 305 . 8 ; TN 304 . 2 文献标识码 :A 　　　　　　　　　　　　　　　 　　掺锡氧化铟 ( I TO) 薄膜是宽禁带半导体材料 , 具有高电导率和可见光范围的高透射率 ,广泛应用 到光电器件中 , 如 L CD 、液晶显示器 、太阳电池等. 目前已采用的薄膜制备技术有 :气相沉积 、磁控溅射 等. 对 I TO 薄膜的导电机制 , 普遍认为 In2 O3 中的 氧空位是双电子能级 ,而 I TO 中的杂质 Sn (5s) 是导 带下的单电子能级. 氧空位和 Sn ( 5s) 共存 , 都对导 带电子有贡献. 在“硅衬底硫化锌发光薄膜器件”研 制中[ 1 ,2 ] ,用磁控溅射法制备 I TO 薄膜作透明电极 , 真空低温退火使薄膜中的微结构变化 ,光电特性也 获得改善. 用 XRD 、XPS 、电导率 、透射光谱等测试 技术 ,探索真空低温退火对 I TO 薄膜的微结构和光 电特性的影响 ,为研制新型光电器件提供参考. 1 　实验方法 采用 J S3 X2100B 型磁控溅射仪制备 I TO 薄膜. 靶材 In2 O3 、SnO2 的质量分数分别为 95 % 、5 %. 测 试陪片用白玻璃 ,常规方法清洗. 溅射时衬底温度为 90 ℃,溅射功率为 100 W ,本底真空度为 2 . 7 ×10 - 3 Pa ,氩气和氧气的分压比 为 99?1 ; 在 真 空 度 为 4 × 10 - 3 Pa 下退火 ,退火温度为 180 ℃;用 D41211B/ ZM 型微控 四 探 针 测 试 仪 测 试 薄 膜 的 方 块 电 阻 ; 采 用 收稿日期 :2003207207 基金项目 : 国家自然科学基金 ( ,厦门大学自 选课题基金 ( Y07007) 资助 作者简介 :曾明刚 (1978 - ) ,男 ,硕士研究生. SP2750i 单色仪 , ID2441 探测器及 N CL 数据采集系 统测试材料的透射光谱 ; 用日本理学 D/ max2C 型 X 射线 衍 射 仪 进 行 了 XRD 测 试 , Cu Kα 作 发 射 源 (λ= 0 . 154 06 nm) ,电压 40 kV ,电流为 30 mA , 扫 描速率 4°/ mi n ; 用美国 P HZ. Q uant um 2000 X 射线 光电子能 谱 仪 进 行 XPS 测 试 , 选 用 Al 靶 , 激 发 源 h v = 1 486 . 69 eV ,分析室真空度优于 5 ×10 - 7 Pa , 通过能选用 23 . 5 eV . 2 　实验结果与讨论 I TO 薄膜样品 ,a 为溅射后的 ,b 为在真空度为 　　　　　　　　　　　　2θ/ (°) 　　图 1 　样品 a 、b 、c 、d 的 XRD 谱图 　　Fig. 1 　The XRD spect rum of sample a ,b ,c and d 表 1 　样品 a 、b 、c 、d 在 (222) 、(440) 晶面的一些参数 Tab. 1 　So me parameters of crystal plane (222) and (440) in samples a ,b ,c and d 样品 2θ