半导体激光器输出特性的影响因素.docVIP

半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器是一类非常重要的激光器，在光通信、Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长 且c=3×108m/s， h=6.628×10?34 J·s，leV=1.60×10?19 J 得 决定半导体激光器输出光波长的主要因素是半导体材料和温度。 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长λ：GaAlAs-GaAs材料适用于0.85 μm波段， InGaAsP-InP材料适用于1.3~1.55 μm波段。 温度的升高会使半导体的禁带宽度变小，导致波长变大。 光功率 半导体激光器的输出光功率 其中I为激光器的驱动电流，Pth为激光器的阈值功率；Ith为激光器的阈值电流；ηd为外微分量子效率；hf 为光子能量；e为电子电荷。 hf、e为常数，Pth很小可忽略。由此可知，输出光功率主要取决于驱动电流I、阈值电流Ith以及外微分量子效率ηd。驱动电流是可随意调节的，因此这里主要讨论后两者。除此之外，温度也是影响光功率的重要因素。 1）阈值电流 半导体激光器的输出光功率通常用P-I曲线表示。当外加正向电流达到某一数值时，输出光功率急剧增加，这时将产生激光振荡，这个电流称为阈值电流，用Ith 表示。当激励电流I Ith时，有源区无法达到粒子数反转，也无法达到谐振条件，以自发辐射为主，输出功率很小，发出的是荧光；当激励电流I Ith时，有源区不仅有粒子数反转，而且达到了谐振条件，受激辐射为主，输出功率急剧增加，发出的是激光，此时P-I曲线是线性变化的。对于激光器来说，要求阈值电流越小越好。 阈值电流主要与下列影响因素有关： 晶体的掺杂浓度越大，阈值电流越小。 谐振腔的损耗越小，阈值电流越小。 与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结小得多。 温度越高，阈值电流越大。 2）外微分量子效率 外微分量子效率ηd定义为激光器达到阈值后，输出光子数的增量与注入电子数的增量之比，其表达式为 外微分量子效率代表了半导体激光器的电——光转换效率，它与内量子效率、载流子对有源区的注入效率、光在谐振腔内的损耗情况、谐振腔端面的反射系数和温度等因素有关。它对应着P-I曲线线性部分的斜率。 3）温度 半导体激光器对温度很敏感，其输出功率随温度变化而变化。 温度变化将改变激光器的输出光功率，有两个原因： 一是激光器的阈值电流随温度升高而增大。温度对阈值电流的影响，可用下式描述： 式中，I0表示室温下的阈值电流，T表示温度，T0称为特征温度（表示激光器对温度的敏感程度）。一般InGaAsP的激光器，T0 =50～80K；A1GaAs/GaAs的激光器， T0 =100～150K。 二是外微分量子效率随温度升高而减小。如GaAs激光器，绝对温度77K时，ηd约为50%；当绝对温度升高到300K时, ηd只有约30%。 光谱 半导体激光器的光谱随着驱动电流的变化而变化。 当驱动电流I＜阈值电流Ith时，发出的是荧光，光谱很宽，如图（a）所示。当I＞ Ith后，发射光谱突然变窄，谱线中心强度急剧增加，表明发出激光，如图（b）所示。 当驱动电流达到阈值后，随着驱动电流的增大，纵模模数变小，谱线宽度变窄。当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模。 此外，温度也会影响半导体激光器的光谱。随着温度的升高，半导体的禁带宽度变小，将导致整个光谱向长波长方向移动。 激光束的空间分布 激光束的空间分布用近场和远场来描述。近场是指激光器反射镜面上的光强分布，远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度 w 和垂直于PN结平面的厚度 t 所决定的，并称为激光器的横模。平行于结平面的谐振腔宽度 w 由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度 t 很薄，这个方向的场图总是单横模。 下图为典型半导体激光器的远场辐射特性， 图中θ‖和θ⊥分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。