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SI4435DYTRPBF;SI4435DYPBF;中文规格书,Datasheet资料
Si4435DYPbF
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
A
1 8
P-Channel MOSFET S D
Surface Mount 2 7 VDSS = -30V
S D
Available in Tape Reel
3 6
Lead-Free S D
4 5
G D RDS(on) = 0.020Ω
Top View
Description
These P-channel HEXFET Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance per
silicon area. This benefit provides the designer with an
extremely efficient device for use in battery and load
management applications..
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