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材料科学概论报告
材料科學概論報告 碳化矽 江峰豪 4990G012 碳化矽的特質 碳化矽(SiC)具有帶隙寬、熱導率高、電子飽和漂移速率大、化學穩定性好、耐高溫、高輻射、耐磨以及強度大等優點，適於製作高溫、高頻、抗輻射、大功率及高密度集成的電子器件。 ?純碳化矽為無色，而工業生產之棕至黑色是由於含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤是因為表面產生之二氧化矽保護層。 SiC奈米絲拉伸變形力學研究 在模擬時所採用的模型尺寸及原子各數的列表。 模型9x9x30奈米絲的拉伸及卸載應力應變曲線 奈米絲在不同應變階段的原子幾何構型 SiC薄膜的高溫熱穩定性 SiC薄膜經高溫退火後的FTIR圖 * * *
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