低功耗复位电路.ppt

新型低功耗上电复位电路 总述 上电复位(Power-on reset)电路广泛应用于各种数字电路和数模混合电路中，对触发器、寄存器以及锁存器等单元电路进行复位，保证电路在上电过程中能正常启动。 系统在上电过程中，当电源电压未达到正常工作电压时，逻辑电路会发生工作混乱。上电复位电路在电源电压上升过程中首先输出无效复位电平，直到电源电压达到系统规定的正常工作电压后，才迅速产生一个有效复位电平，该复位电平可对数字电路进行复位操作。有效复位电平维持一段时间后变为无效复位电平，形成有效复位脉冲。 系统的开发朝着低功耗和高可靠性的方向发展。本文针对传统上电复位电路存在的问题，设计了一种新型低功耗上电复位电路。 传统上电复位电路 这种电路基于RC充放电原理。利用NMOS管NM0的栅电容和PMOS管PM0的导通电阻来调整RC时间常数，通过RC延时来定义节点A电位的上升速率。PMl和反相器INV3组成反馈锁存结构。电源电压VDD在上升过程中，当超过PM0的阈值电压后，电源开始对NM0栅电容充电，与此同时，上电复位信号Vout也跟着上升。当NM0栅电压升至反相器INVl的翻转电压时，上电复位信号由高变低，即Vout信号发生翻转，从而输出有效复位脉冲。 （1）当电源电压短时间内突然掉电后再快速上电时，电容不能完全放电，再次充电时不能产生有效复位脉冲； （2）当电源电压上升到翻转点附近抖动时，电路会多次出现复位脉冲； （3）有效复位脉冲出现时间和脉冲宽度不可控制。 这几个问题对芯片的功能和性能影响较大，本文提出的上电复位电路可以有效地解决上述问题。 缺点 新型低功耗上电复位电路 新型上电复位电路由电源检测延时电路、延迟整形电路和脉冲产生电路三部分构成。 电源检测电路 电源上电时，A点电压通过NM0的栅电容跟随电源电压上升，此时PM0处于截止状态。当A点电压上升到一定值时，两个以二极管形式连接的NMl和NM2亚阈值导通，此后A点电位缓慢降低，导致PM0导通，电源对NM3的栅电容充电。当B点电压达到施密特触发器SCHl的翻转电压时，触发器发生翻转，此时SCH1的输出由高电平跳变为低电平。在电源检测延时过程中，C点的翻转时刻取决于B点的电压，而B点充电情况由A点电压变化决定，A点电压的变化取决于二极管串联的数目以及二极管的尺寸，故二极管的导通时间tDIO以及NM3的栅电容充电时间tNM3决定电路的延时，所以，电源检测延时电路的延时为：t1=tDIO+tNM3 C点到E点之间为延迟整形电路，PM2、PM3、PM4、NM4构成反相器结构；同样，PM6、PM7、NM6也构成反相器结构，NM5和NM7为MOS电容。反相器结构以及MOS管尺寸决定电容的充电速率，进而影响延迟时间。MOS电容NM5达到施密特触发器翻转电压所需的充电时间tNM5决定C点信号到D点信号的延迟；同样，MOS电容NM7的充电时间tNM7决定D点信号到E点信号的延迟。D点和E点之间的延迟时间tNM7是复位脉冲的宽度，可通过调节反相器和MOS电容来改变时间常数，从而控制复位脉冲宽度。信号经过延迟整形电路所需的时间为： t2=tNM5+tNM7 延迟整形电路 经过整形和延迟的D点和E点信号经过异或门XOR后再经过反相器INV和或非门NOR可输出复位脉冲，最终VPOR输出正常的有效复位脉冲信号，保证电路可以准确无误地工作。由于信号通过门电路的时间极短，脉冲产生电路几乎没有信号延时。至此,电路输出复位脉冲开始时间为： t3=tDIO+tNM3+tNM5 复位脉冲宽度为tNM7，则输出脉冲结束时间为： t4=tDIO+tNM3+tNM5+tNM7 电路中,MOS管PM1、PM5、PM8作反偏二极管使用，其作用是在电源快速掉电后为MOS电容NM3、NM5、NM7提供一条放电通路，以便快速释放电容上的电荷，确保电源二次快速上电能正常产生复位脉冲，提升电路的可靠性。 脉冲产生电路 电路功耗分析 由图2可看出，电路中连接MOS电容的支路上不会有电流消耗，电流通路只出现在门电路和施密特触发器中。在电路工作时，门电路存在动态功耗,时间极短,可通过调节MOS管尺寸来降低动态电流。例如，在脉冲产生电路中，增大门电路中MOS管的栅长。而门电路的静态电流几乎为零，近似无功耗。 传统施密特触发器 传统的施密特触发器在工作过程中会出现两条通路在两个不同的时间段内分别导通，因此会有较大的电流消耗，这对于低功耗电路的应用来说是不可取的。 低功耗施密特触发器由三个NMOS管和三个PMOS管构成，如图3所示。当Vin为高电平时，PM1截止，NM1导通，PM2导