数字逻辑电路集成门电路.PPT

数字逻辑电路 第2章 　集成门电路 2.1 概述 2.2 CMOS门电路 2.3 双极型门电路 2.4 BICMOS门电路 2.5 集成门电路的应用举例 2.1 概述 一、集成门电路按其内部有源器件的分类 ㈠双极型晶体管TTL(晶体管――晶体管逻辑)集成门电路，包括LSTTL(低功 耗肖特基TTL)，ECL(射极耦合逻辑)电路和I2L(集成注入逻辑)电路等几种类型。 特点：工作速度高，驱动能力强，但功耗大，集成度低。 ㈡单极型MOS集成门电路，包括NMOS、PMOS、CMOS、LDMOS(横向 扩散MOS) 、VDMOS(垂直扩散 MOS) 等几种类型。 特点：功耗极低，成本低，电源电压范围宽，集成度高，抗干扰能力强， 输入阻抗高，扇出能力强。 ㈢BiCMOS门电路（Bipolar CMOS），（又称绝缘栅晶体管门电路，）是由 MOS集成门电路与双极型推拉式输出电路组合。 特点：综合了CMOS功耗低、集成度的优势及双极型驱动能力强的长处。 二、集成门电路按其集成度的分类 小规模集成电路SSI，每片组件包含10～20个等效门。 中规模集成电路MSI，每个组件包含20～100个等效门。 大规模集成电路LSI，每组件内含100～1000个等效门。 超大规模集成电路VLSI，每片组件内含1000个以上等效门。 常用的逻辑门和触发器采用SSI。编码器、译码器、数据选择器、数据分配 器、加法器、计数器、移位寄存器、锁存器等组件都采用MSI。 集成电路正朝着高速低耗、高集成度的方向发展。 2.2 CMOS门电路 一、CMOS集成门电路的外部特性和主要参数 1.CMOS集成门电路的外部特性 CMOS门电路对外部呈现的电气特性主要包括：括号内( )表示期望指标。 静态特性——输入特性（输入阻抗高）、输出特性（驱动能力大且对称性 好）、电压传输特性（输出电平转换徒峭）； 动态特性——传输延迟时间（延迟时间短）、交流噪声容限（容限大）、动 态功耗（功耗小）等。 2.CMOS集成门电路主要参数的特点 （1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。 所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。 （2）阈值电压Vth约为VDD/2。 （3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。 因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。 （4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门； （5）因为CMOS电路有极高的输入阻抗(GΩ数量级)，故其扇出系数很大，可达50。 2.2 CMOS门电路 二、CMOS集成门电路逻辑函数及逻辑符号 （1）CMOS非门（反相器） Y= （2）CMOS与门Y=AB CMOS或门Y=A＋B （3）CMOS与非门 CMOS或非门电路 2.2 CMOS门电路 二、 CMOS集成门电路逻辑函数及逻辑符号 （4）CMOS与或非门 （5）CMOS异或门 F= CMOS同或门 F= =A⊙B 2.2 CMOS门电路 二、 CMOS集成门电路逻辑函数及逻辑符号 （6）CMOS三态门，又称3S门(当 =0时，即电路内部的EN=1，输出与输入 之间为正常的逻辑关系；当 =1时，即电路内部的EN=0，输出端呈现高阻抗。) CMOS三态非门 CMOS三态与非门 CMOS三态或非门 （7）CMOS漏极开路门（OD门） 两个OD门的“线与”连接电路图，其逻辑关系如下： 2.2 CMOS门电路 二、 CMOS集成门