英飞凌新一代coolmoscfd2超结器件随着功率密度不断提高半桥.docVIP

英飞凌新一代CoolMOS CFD2超结器件 　　随着功率密度不断提高，半桥(例如HID半桥或LLC)和全桥(例如ZVS全桥)等软开关拓扑成为理想的解决方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能，采用这些拓扑可降低系统的开关损耗，提高可靠性。这种情况主要出现在轻载条件下。事实证明，CoolMOS这样的超结器件可以克服这个问题，由于其内部优化了反向恢复过程电荷载流子去除功能，并且消除内部寄生NPN双极晶体管的栓锁问题。通过增强注入载流子的结合率可大幅降低反向恢复电荷，而且增强结合率可降低关断过程中的反向恢复峰值电流，并使反向恢复电荷大幅降低至约为原来的十分之一。对于优化体二极管(图1)性能在硬开关条件下应用而言，反向恢复波形的形状和印刷电路板的设计尤其重要。新一代CoolMOS 650V CFD2改进了体二极管反向恢复性能，而且给击穿电压留有更大的安全裕量。 　　 ? 　　图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图。 　　反向恢复行为 　　新一代CoolMOS 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比，新一代CoolMOS 650V CFD器件具备极低的反向恢复电荷Qrr、极短的反向恢复时间trr和极小的反向恢复电流最大值Irrm。 　　 ? 　　图2是在di/dt=100A/μs、25°C和Vr=400V等条件下测量的反向恢复波形。相对于标准器件，新一代CFD器件具备极低的Qrr、trr和Irrm。 　　与此同时，尽管Qrr、trr和Irrm大幅降低，但这种新器件的波形仍然显示出软特性。这种特性十分适用于硬换流，旨在避免电压过冲和确保器件可靠运行。 　　换流耐用性 　　 ? 　　图3新一代CoolMOS 650V CFD2器件的反向恢复波形。即使在测试仪达到最大功率条件下，这些器件也不会受损。 　　图3的反向恢复测量结果(在di/dt 2000A/μs的条件下)显示了CoolMOS(tm) 650V CFD2器件的换流耐用性。 　　在这些条件下，无任何器件受损。相对于其他超结器件波动剧烈的波形，这些波形仍然显示出了软特性。显而易见，这对于设计人员而言是一大优势。设计人员可通过优化其应用，获得最大性能，同时不必担心器件在体二极管进行硬换流时发生损毁。 　　Qrr 和 trr 与温度关系 　　 ? 　　图4 310mΩ 650V CFD器件的Qrr 和Trr 与温度关系。 　　对于设计人员而言，了解Qrr和trr与温度关系至关重要。Qrr和trr值会随着温度的升高而增大，这是因为器件中的载流子在高温下不断增加。图4显示了310mΩ 650V CFD2器件的Qrr和trr值与温度的这种关系。从图形可看出Qrr和 trr与温度成线性关系。 　　Qrr 和Trr与通态电阻关系 　　另一个需要注意的重要方面是Qrr和trr与器件的通态电阻关系，如图5和图6所示。图5和图6将新一代基于C6技术的650V CFD2器件与英飞凌前代基于C3技术的600V CFD进行对比。 　　 ? 　　图5 Qrr 与通态电阻关系，测量条件为25°C 。将80 mΩ、310 mΩ和 660mΩ650V CFD2器件与前代基于C3技术的600V CFD对比。 　　显然，全新的650V CFD2器件相对于前代技术，在动态特性(Qrr、trr)和最低通态电阻之间达到更好的平衡。 ? 　　图6 trr与通态电阻关系，测量条件为25°C。将80mΩ、310mΩ和660mΩ 650V CFD2器件与前代基于C3技术的600V CFD对比。 　　在HID桥上的性能评估 　　我们还将这些新器件的性能与HID半桥上采用的SPD07N60C3进行了对比。通过采用新一代CoolMOS CFD2器件，可无需使用D2、D3、D4和D5二极管，从而降低了系统成本(图7)。 　　 ? 　　图7 典型的HID半桥电路。利用全新的CoolMOS(tm) 650V CFD2器件代替T2 和 T3晶体管，无需采用D2 至D5的二极管。 　　图8为T2 和T3晶体管为SPD07N60C3以及D2、D3、D4和D5二极管使用时，获得的波形。采用这种设置时，我们可获得91.81%的效率。 　　 ? 　　图8 将SPD07N60C3作为开关和D2至 D5二极管使用时，在T3晶体管关断阶段的电路波形。系统效率达到91.81%。 　　通过去除与晶体管串联的二极管，可消除额外的正向压降。当开关损耗因存储在MOSFET内的反向恢复电荷而增大时，该解决方案需要MOSFET的内置体二极管具备更出色的性能。具体情况如图9所示。除了开关损耗增大，另一个缺点是MOSFET最终会因高反向恢复电流而受损。 　　 ? 　　图9 SPD07N60C3(不带D2至D5二