蒋玉龙教授-半导体物理-10.pdfVIP

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2017-08-31 发布于天津
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蒋玉龙教授-半导体物理-10.pdf

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第六章半导体中载流子的输运 6.1 载流子的漂移运动 6.2 载流子的散射 6.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 6.4 强电场下的输运 16/24 6.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系1 6.3.1 迁移率与杂质浓度和温度的关系几种散射机构同时存在时， P P +P +P + I II III 1 1 1 1 1 1 1 1 + + +P + + + 而 τ τ τ τ μ μ μ μ I II III I II III 掺杂Si, Ge： 3 / 2 q T −3 电离杂质散射μi * N E cm118 m BN i i q 1 声学波散射 μs * 3 / 2 m AT q 1 μ * m 3 / 2 BN i AT + 3 / 2 T 17/24 6.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系2 6.3.1 迁移率与杂质浓度和温度的关系 2 2 μ (cm /V⋅s) μ (cm /V⋅s) 室温（300 K ）下，高纯 n p Si 1350 500 Si、