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第四章 晶体缺陷;（b）;一、点缺陷：;3）杂质原子不同种类的原子替换原有的原子占据其应有的位置，或进入间隙位置。 ;2、点缺陷的形成：;2）肖特基缺陷：;3）杂质缺陷;二、线缺陷 (line defect);; 如图（a）（b）将晶体的上半部分向右平移一个原子间距，使晶体内有一个原子平面在晶体内部中断，其中断处的边沿即刃型位错亦称棱位错。 ;图7 刃型位错几何图像;特点:（a）原子的滑移方向与位错线的方向相垂直。 （ b) 位错线并不是一条几何线而是一条管道， 管道长度远大于直径。 （c）刃位错线可以是任意形状。;2.螺型位错：;螺位错;4.3 位错及其滑移;如果晶体的滑移是整体的发生的,那么使滑移发生的临界应力，数值比实验值高出 个数量级。;二、刃位错(棱位错)的滑移; 位错是晶体滑移部分与未滑移部分的分界线。在位错附近，由于晶格发生了畸变，原子的受力情况也发生了变化。如下图（a）所示：;3、螺位错的滑移（slippage of screw dislocation） 螺位错的滑移情况与刃位错的滑移类似，只是螺位错的滑移方向与晶体所受切应力的方向垂直。如下图所示：;三、螺位错的滑移; 二、螺位错与晶体生长 (Screw dislocation and crystal growth) 1、晶体中三种位置上原子的受力情况 离散原子形成晶体的原因是原子之间存在结合力，其中原子间的吸引力是自由原子结合成晶体过程中的源动力。 分析如图所示三种位置上的原子的受力情况。;2、晶体的生长过程 由上面三个位置的原子受力情况可见：晶体的生长过程中，原子是一层一层地堆积生长的，原子先占据三面角的位置，其次是占据二面角的位置，一层还没有堆积完毕，原子不会堆积新的一层。 但是当一层完成后，生长新的一层就比较困难。 3、晶体生长中螺位错的“触媒”作用 有螺位错的晶体生长要快得多。在剪切晶面处不仅有二面角，而且螺位错的附近可以看成变形的三面角，原子首先围绕螺位错旋转生长，不存在生长完一层才能生长新一层的困难。如图所示：;三、面缺陷 ;晶界附近的原子排列较混乱，是一种面缺陷;抽出型层错;六 位??的观察;2 透射电镜观察;?;在图中，中间稍亮区域（晶粒）里的暗线就是所观察到位错的像;层状聚和物晶体中的螺型位错