galaxy s iii采用展讯td基带芯片.pdfVIP

… IH由国集成电路 ．．．．宙面阍 f ■—■ ● China Integrated Circuit 卫 7r 一 同书》签订仪式在福州举行。该项 目由福州市人民 4O纳米低漏 电工艺的ARM@ CortexTM--A9MPCoreMT 政府 、福建福顺微电子有限公司、福建省投资开发集 双核芯片测试结果达到 1．3GHz。该测试芯片基于 团有限公司和福建省电子信息集团有限公司共同建 ARMCodex—A9双核处理器设计，采用了中芯国际 设 ，总投资3O亿元人民币，占地面积 331亩。这是福 的 40纳米低漏 电工艺。处理器包括一个 32KB 建省第一条 8英寸Ic芯片生产线。 I-cache和 32KBD—cache以及其它所需之存储器模 项 目分二期进行，一期投资 10亿元人民币，占 块 、ARMNEONMT、调试和追踪的ARMCoreSightMT 地 77．23亩，选址位于闽侯南屿生物医药和机 电产 等， 另外还通过 AMBA~ AXI总线集成了内建 业园内，主营大功率 、高电压的集成电路芯片，投产 SRAM与DMA、NORflash、SDRAM、VGA等介面。除 后可形成年产 8英寸0．25微米至 0．35微米 IC芯片 了高速标准单元库以外 ，该测试芯片还采用了中芯 24万片的生产能力。预计第一条8英寸 Ic芯片生 国际高速定制存储器和单元库以提高性能。(来 自 产线将于今年8月底前动工建设。(来 自福顺微电 灿芯半导体公司) 子 ) 宏力半导体建国内首个O．18微米 两岸企业联手研发的 超低漏电嵌入式闪存工艺平台 第二代二维码解码芯片将面市 上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国 2012海峡科技专家论坛近 日在厦门举行，新大 内首个 0．18微 米 “超低 漏 电”(Ultra—Low— 陆电脑股份有限公司在论坛上宣布，该公司与中国 Leakage，ULL)嵌入式闪存工艺平台。0．18微米 “超 台湾高科技企业合作，完成了第二代具有主流二维 低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体 自主开 码和全部通用一维条码功能的二维码解码芯片的量 发完成。此次推出的 超“低漏电”工艺平台在宏力半 产流片，从2012年下半年开始将全面装备新大陆各 导体现有的0．18微米 “低功耗”工艺平台上实现了 类信息识别产品，正式推向市场。 进一步技术提升，其N／P晶体管在 1．8伏操作电压 与全球首颗二维码 “中国芯”相比较，第二代二 下可分别输出与 低“功耗”工艺等 同的525／205 维码解码芯片在关键技术指标上实现了质的飞跃 ， A／In驱动电流，但其 N／P管静态漏电分别仅为 全面支持市场主流的二维码与国际通用一维条码 ， 0．6pA／131和 0．2pA／in，达到业界领先水平。 覆盖 99％以上的市场应用范围；芯片解码性能与接 0．18微米 “超低漏电”嵌入式闪存工艺平台生 口适应性进一步提升，解码速度进一步提高；芯片解 产的芯片具有超低漏电(小于 lpA／n1)、静态功耗 码方案在成本、功耗上比传统设计方案大大降低，可 低的特点，在电池容量有限的情况下能够提供更长 靠性大大提升；同时大大降低二维码技术的应用门 的待机时间。基于该平台生产的低功耗微控制器、触 槛，为二维码在各行业领域的物联网创新与规模化 摸屏控制芯片主要适用于平板电脑、数码相机和手 应用铺平了道路。(来 自CSIA) 机等手持式便携设备。 (来