issg及其氮化工艺对nbti效应的改善 issg process and its improvement on negative bias temperature instability.pdfVIP

下载本文档

348
0
约9.28千字
约 4页
2017-08-27 发布于上海
举报
版权申诉

issg及其氮化工艺对nbti效应的改善 issg process and its improvement on negative bias temperature instability.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

issg及其氮化工艺对nbti效应的改善 issg process and its improvement on negative bias temperature instability

巾国集成电路南U造 China Circult Integrated -SSG及其氮化工艺对NBT-效应的改善孑L艳梅，杨莉童商 (中芯国际集成电路制造有限公司，上海201203) 明显的改善作用。由于原子氧的强氧化作用，IssG工艺中最终得到的氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密度也比较小，氧化物薄膜的质量比较高。IssG氮化工艺与传统炉管氧化物薄膜的氮化工艺的主要区别在于N所集中的位置不一样。IssG工艺氮化是把等离子态的Ⅳ+注入到多晶硅栅和sjQ：的界面，不会者jv2D把N注入到sjQ：和sj衬底的界面，这样sjQ2和sI的界面态就会增加，从而增强NBTI效应。关键词：原位水气生成；负偏压温度稳定性；氮化；氧化薄膜；晶圆 ISSGProcessandIts ImproVement on Bias TemperatureInstability NegatiVe Esme Kong，KellyYang Intemational 201 (Semiconductor 203，China) Manufactu—ng Corporation，Shanghai discussthe of and t}Ie Abstr觚t：We ISSG(In—situ reliabilitype而咖aIlce Ste锄Generation)gate似ideaIlalyze 0fNBlrI BiaLs thenitridation ISSG mechanism (NegativeTemperatureInstability)impmvementby proce8s．The aJldtheco玎elatednitridation reducetIleNB，11e雎ct0n o)【ide．Duetothe process c粕si卯ificaIldy gate s呐ng 0xidationof o)【ide thelSSG haslessdefectsandinte—ace—statedensities． oxygenatoms，thegate producedby process The oftheISSG oxidei8bettertIlanthatoft}lefumace Fort}lenitridationin ISSG， quality gate gate确de． process concentratesatthe whichcaIlreduceNBlIe能ct．FortIlenitridationina inte出ce， nitmgen poly—oXide pmces