o2sf6混合气体对光刻胶的离子刻蚀研究 research on reactive ion etching of pr in o2sf6 mixtures.pdfVIP

郑载润等：0筛R混合气体对光刻胶的离子刻蚀研究 文章编号：1006—6268(2007)10-0041—04 02／SF6混合气体对光刻胶 的离子刻蚀研究 郑载润，郑云友，侯智。挛正勤，李斗熙 北京京东方光电科技有限公司，北京100176) 摘要：以o。+sR为刻蚀气体，在一定压力下使用RIE刻蚀机刻蚀光刻胶。通过改变功率、o： 流量和sF6流量，研究以上因素的改变对光刻胶灰化速率的影响。实验结果表明：单组分o：存 在下，02流量的增加不会影响光刻胶的灰化速率。设备Plasma功率以及气体比率变化对灰化率 有显著影响，并通过光谱分析对光刻胶的灰化反应机理进行了初步研究。 关键词：离子刻蚀；干法刻蚀：灰化速率：光谱 中图分类号：TNl41 文献标识码：A ResearchonReactiveIon ofPRin Mixtures Etching 02／SFo ZHENG Dou—xi Zai—run。ZHENGYun-you。HOUZhi，LI Zheng-xun。LI BOE 1001 (BeijingOptoelectronicsTechnologyCo．，Ltd．，Beijing76，China) Abstract：PRrateand havebeenstudiedin ratehas ashing uniformity SFd02plasma，Ashing been atdifferentflow and the measurod gas SFd02 ratio，and rate，plasmapower gas havebeenstoredEndPointDetector Theresultsshow spectrumintensity by System that， and ratiohave with the ofIon plasmapower greatrelationship rate，and gas ashing intensity haseffectin ashingprocess． etch；ashingrate；ion Keywords：RIE；dry spectrum 1 引 言 体系作为刻蚀气体，研究不同气氛、不同功率下，灰化 率(PR ashing 在TFT—LCD制造过程中，5mask是主要的TFT 制造工艺，但费用成本高，产能低，因此为降低成本，提 对于4mask工艺改善具有重要的意义。 高产能