p型zno及zno基发光器件研究进展 research progress in p-type zno and zno-based electroluminescent devices.pdfVIP

纳米器件与技术 Nanoelectronic DeviceTechnology 王建波1，李玉国1，张秋霞1，夏继周2，张月甫1，崔传文1，张敬尧1 (I．山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所，济南250014； 2．山东省青年管理干部学院。济南250014) 摘要：六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙(3．36eV，300K)半导体材料。其优 异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点。综述了自1997年以来 ZnO的P型掺杂以厦ZnO基发光器件方面的研究成果．比较了不同方法制备的P型ZnO材料 和发光器件的性能差异，分析了造成各种差异的原因，并针对当前研究提出了一些建议和预测。 关键词：半导体技术；P型掺杂；综述；ZnO薄膜；发光器件 中图分类号：TN304．21；IN312．8 Research in ZnOandZnO--Based Progress