第1章 电力电子器件(定稿).ppt

* 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管（10kHz以上）； FST由于允许长期通过的电流有限，所以其不宜在低频下工作。 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) * 逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件，这种器件不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 图1-9 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 * 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 图1-10 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 ?当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 电气隔离 图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 1.3 门极可关断晶闸管（GTO）1.3.1 GTO的结构和工作原理 晶闸管的一种派生器件，但 可以通过在门极施加负的脉冲 电流使其关断，因而属于全控 型器件。 GTO为四层PNPN结构、三端 线（A、K、G）的器件。和 晶闸管不同的是：GTO内部是 由许多四层结构的小晶闸管并 联而成，这些小晶闸管的门极 和阴极并联在一起，成为GTO元 图1-15 图1-15 */89 导通与关断 ?GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时饱和程度较浅。晶闸管的回路增益α1+α2常为1.15左右，而GTO的α1+α2非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。 ?而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，当两个晶体管发射极电流IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。 ?GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管开通过程更快，承受di/dt的能力增强。 ■GTO的主要参数 ◆ GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相同 ◆电流关断增益?off ?最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。 ??off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。 ■不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管。当需要承受反向电压时，应和电力二极管串联使用。 */89 1.3.2 电力晶体管 ■电力晶体管（Giant Transistor——GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） ■GTR的结构和工作原理 ◆ GTR和GTO一样具有自关断能力，属于电流控制型自关断器件。GTR可通过基极电流信号方便地对集电极-发射极的通断进行控制，并具有饱和压降低、开关性能好、电流较大、耐压高等优点。 ◆ GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 共射极电路的输出特性曲线 图1-19 2、GTR的动态（开关）特性 晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。GTR主要应用于开关工作方式。 在开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动GTR 导通，而用另一反向基极电流IB2迫使GTR关断，由于GTR 不是理想开关，故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。 简称P-MOSFET（Power MOSFET）。 是用栅极电压来控制漏极电流的 开关时间在10~100ns之间，其工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 ?当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。 ?在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。 1.3.3 电力场效应晶体管 */89 ◆电力MOSFET的工作原理 ?截止 栅极和 源极间电压为零时，无漏极电流ID，截止 ?导通 在栅极和源极之间加一正电压UGS，当UGS大于某一电压值UT开启电压（或阈值电压）时，导通。UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。 ?本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个 与MOSFET反向并联的寄生二极管。 ■ GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 电力MOSFET是单极型电压驱动器件，