瞬态二极管作为选择器应用于双极性阻变存储器存储阵列的-基地物理.pdfVIP

《基地物理》 2016 年第8 期 瞬态二极管作为选择器应用于双极性阻变存储器存储阵列的可 行性研究 1 1 1 2 王扬 ，王啸 ，郭廷 ，李若熹 （1. 物理科学与技术学院 12 级微电子学班，甘肃 兰州 730000; 2. 信息科学与工程学院 12 级通信二班，甘肃 兰州 730000 ） 摘 要： 我们将瞬态二极管（TVS ）作为选择器应用于双极性阻变存储器（RRAM ）交叉阵列中 抑制阻变存储器交叉阵列中的漏电通道，从而有效地抑制误读。通过实验和模拟，我们发现 瞬态二极管可以作为双极性阻变存储器交叉阵列的选择器。与简单的1R 结构相比，1TVS1R 结构的交叉阵列的存储密度得到了显著的提升，最大可以达到 1 Mbit。因此，瞬态二极管 可以被用作双极性阻变存储器的选择器，并且能应用于高密度的双极性RRAM 交叉阵列。 关 键 词：瞬态二极管；双极性阻变存储器；串扰；交叉阵列 1 引 言 随着便携式电子设备的迅速普及，存储器在市场中占有了越来越多的份额，尤其是非易 失性存储器（NVM ）。目前，非易失性存储器的主流是基于电荷存储机制的“ 闪存” （Flash ） 存储器。然而，由于这些器件的操作电压大，运行速度慢，耐久性差和由器件尺寸减小过程 中的隧穿氧化层减薄导致的性能恶化，最终使此类器件很难延续到32 nm 尺寸以下。因此， 由于其非易失性，结构简单，高密度，速度快，低功耗等特点，阻变存储器（RRAM ）被认 [1-9] 为是最具前景的下一代存储器 。 RRAM 受到外界电激励激发，从而实现从 “0” 到 “1” 的转换。一般来说，器件由高阻 态（HRS ）转换成为低阻态（LRS ）的过程称为set，由低阻态到高阻态的转换过程称为reset [10,11] 。另外，为了防止器件损坏，器件的正向最大电流一般都会受到限制。RRAM 交叉阵 列分为有源阵列和无源阵列。相比于有源阵列，无源阵列的最小存储单元面积与二极管无关， [12-14] 因而无源阵列在技术层面上和存储密度层面上都更具有优势 。因此，无源交叉阵列对最 高存储能力而言更为理想，此外其最小存储单元面积可以达到4 F²（F 为最小特征尺寸）。 然而，在一个简单的2x2 阵列中，当一个RRAM 单元处在高阻态时，此时与其相邻的所有 存储单元都处在低阻态，因而形成了漏电通道[15-19] 。如果存储阵列的面积变得更大，那么漏 电通道将会增多，相应漏电流也会随之增大，最终导致误读现象的发生。 为了避免电路中的串扰和误读，将单个RRAM 与一个二极管串联的结构，也就是1D1R 结构，被用来抑制交叉阵列中的串扰。这样一来，即使出现一个RRAM 单元处在高阻态， 而其余与之相邻的存储单元处在低阻态的情况，二极管的整流效应会使得误读现象得到有效 地抑制。但是，一般来说，传统的p-n 结只能够适用于单极性的RRAM ，因为传统的p-n 结 —————— 基金项目：兰州大学物理基地班创新基金和兰州大学创新创业行动计划资助项目。 通讯作者：王扬 （1994- ），男，指导教师为李颖弢副教授。 联系方式：E-mail: wangy_2012@lzu.edu.cn 1 《基地物理》 2016 年第8 期 反向电流太小以至于reset 现象不能发生，所以传统的p-n 结不能与双极性的RRAM 串联起 来。不仅如此，其他种类的二极管虽然正向电流密度大，整流比高，但是仍然不适用于高集 成度的双极性RRAM 存储阵列[16-21] 。从我们之前的研究成果来看，齐纳二极管已经被证明 是可以在双极性阻变存储器存储阵列中被