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电子发烧友 电子技术论坛 低压低功耗混频器的设计 1 2 1 1 杨思军 ，张智焜 ，张红南 ，卓明 (1、湖南大学 物理与微电子科学学院 ，湖南 长沙 410082 ） (2、湖南大学 电气与信息工程学院 ，湖南 长沙 410082) 摘要：本文对常见的混频器结构进行了调整，提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混 频器，分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降，从而达到降 低电源电压的目的。采用1.5V TSMC 0.35 µm CMOS工艺进行仿真，该混频器仿真结果表明， 电路转换增益为-10.5 dB，噪声系数为20.648 dBm，1 dB压缩点为-5.764dBm，三阶输入交调 点为4.807 dBm 。 关键词：混频器；低压；低功耗；CMOS 中图分类号: TN773 文献标识码：A Design of high-gain And Low-power CMOS LNA 1 2 1 1 YANG Si-jun ，ZHANG Zhi-kun ，ZHANG Hong-nan , ZHUO Ming (1、College of Physics and Microelectronics Science, Hunan Univ,Changsha，Hunan 410082, China ） (2、College of Electrical and Information Engineering, Hunan Univ,Changsha，Hunan 410082, China) Abstract: In this paper we adjust the common structure of mixer and propose a new kind of mixer structure--Low-voltage and low-power mixer. In this contructure we reduce the direct-current voltage dissipation during the working of transconductance level, local oscillation level and the output load, which can achieve the requirement of lower supply voltage. We use the process of 1.5V TSMC0.35 µm CMOS to run the simulation, and the result shows that the gain of circuit switching is -10.5dB, the noise factor is 20.648dBm, 1dB compression point is -5.764dBm, and the input-referred third-order intercept point is 4.807dBm. Keywords:Mixer;low-voltage; low-power;CMOS 自20世纪60年代以来，集成电路的发展一直遵循1965年Intel公司的创始人之一Gordon E.Moore预言的集成电路产业发展规律：即集成电路的集成度每3年增长4倍，特征尺寸每3 年缩小2倍[1,2] 。目前集成电路特征尺寸的减小导致电源电压的降低，为了适应集成电路的发 展需求，不断开发新的电路结构以适应在低电源电压下应用已成为唯一捷径，是集成电路设 [3,4] 计领域的发展趋势 。 本文提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混频器，分别降低了跨导级、本振级与 输出负载正常工作时所消耗的直流电压降，从而达到降低电源电压的目的。 1