3第九章 半导体器件.pptVIP

第 9 章 半导体二极管和三极管 1 半导体的导电特性 2 PN 结 3 半导体二极管 例2 例3 4 稳压管 例：稳压二极管的应用 9.3.2题（P246） 5 半导体三极管 5 三极管输入特性:IB = f(UBE) 5 三极管 输出特性曲线 5 三极管主要参数 9.4.1题（P247） 例2: 截止、放大、饱和状态的设定 * 9.2 半导体二极管 9.3 稳压管 9.4 半导体三极管 9.1 半导体的导电特性 1. 本征半导体 自由电子 空穴 载流子 P = e 2. N 型半导体 多子：自由电子 少子：空穴。 硅或锗 +少量磷? N型半导体 3. P 型半导体 多子：空穴 少子：自由电子。 硅或锗 +少量硼? N型半导体 载流子浓度与稳定的关系 纯净硅或锗 正向电压 (P接正、N接负) PN结处于导通状态。 ● PN 结的单向导电性 反向电压 (P接负、N接正) PN结处于截止状态。 U I E + - + - U IS E - + 死区电压: 硅管0.5V, 锗管0.2V。 反向击穿电压 U(BR) 导通压降: 硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。 反向截止区 反向电流很小 U I E + - + - 正向特性 U I 反向特性 反向击穿区 电压变化很小 主要参数 最大整流电流 IOM 反向工作峰值电压 URWM 反向峰值电流 IRM IOM URWM IRM D 8V R uo ui + + – – 例1： 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 限幅 ui 18V 8V uo ui 8V，二极管导通， uo = 8V ui 8V，二极管截止， uo = ui 1.二极管在正向导通时电流位20mA，若此电流增加一倍，则其两端电压 。(A.增加一倍 ； B.增加一倍以上； C.略有增加) 2.用万用表测二极管电阻，则电阻最小为 。 (A. R×100 Ω正向电阻； B. R×1KΩ正向电阻； C. 反向电阻) B 12V 3k W 6k W 6k W A D 3k W 已知：二极管是理想 求图中UAB 1。断开D 则 2。二极管D正向导通。 3。二极管正向压降为0；故UAB＝0V。 【解】 1 Ui5V D1导通 D2截止 → Uo= 5V 2 Ui-5V D2导通 D1截止 → Uo= -5V 3 5VUi=5V D1、 D2截止 → Uo= Ui R u A u B u F +12V 二 极 管 为 理 想 元 件，uA=3sint V，uB = 3V ， 则 uF 等 于（ ）。 (a) 3 V (b) 3sint V (c) 3V+3sint V 电 路 如 图 所 示，二 极 管 型 号 为 2CP11，电 阻 R = 5 kW，则 电 压 表 V 的 读 数 约 为（ ）。 (a) 0.7V (b) 0V (c) 10V 电 路 如 图 所 示， ，D2 均 为 硅 管（正 向 压 降 0.7V)，D 为 锗 管（正 向 压 降 0.3V)， U＝6V ， 忽 略 二 极 管 的 反 向 电 流 ， 则 流 过 D1、D2 的 电 流 分 别 为（ ）。 IZmax 符号 U I UZ IZ 稳压二极管特性曲线 IZmin 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流 IZ 在 Izmax 和 Izmin之间时,其两端电压近似为常数(稳定电压UZ) 正向同二极管 稳定电流 稳定电压 截止同二极管 RL Ui 12V uO R 200 ? DZ i iz iL UZ UZ=10V； Izmax=12mA；Izmin =2mA.若能稳压，则负载电阻 可变化范围为？ 1。假设稳压二极管处于稳压状态： 2。iL可变化范围： 3。RL可变化范围： 画出构成0.5V、3V、6V、9V、14V的接法 稳压二极管 有两个稳压二极管，稳定电压为 正向压降为： 【解】 0.5V R ui 3V R ui 8.5V 5.5V 6V R ui 5.5V 8.5V 9V R ui 8.5V 5.5V 14V R ui 8.5V 5.5V Ui5V 时： Uo=5V Ui-7V 时： Uo=-7V Ui在-7V~5V 时： Uo=Ui 5V -7V NPN型 PNP型 B E C B E C IC = β IB +ICE