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功率晶体管（1300系） 一. GTR的结构和工作原理 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 一. GTR的结构和工作原理 一. GTR的结构和工作原理 一. GTR的结构和工作原理 二. GTR的基本特性 二. GTR的基本特性 二. GTR的基本特性 三. GTR的主要参数 三. GTR的主要参数 四. GTR的二次击穿现象与安全工作区 四. GTR的二次击穿现象与安全工作区 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 1300系列晶体管工艺流程 * GTR与BJT这两个名称等效 应用： 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，主要应用在家用电器。 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候称为Power BJT 照明在家用电器中有十分突出的地位。由于电力电子照明电源体积小、发光效率高、可节省大量能源，通常被称为“节能灯”，正逐步取代传统的白炽灯和日光灯。 1. GTR的结构 基极 b P 基区 N 漂移区 N + 衬底 基极 b 发射极 c 集电极 c P + P + N + b e c 一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为： ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 空穴流 电 子 流 E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 2. GTR的工作原理 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo 产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为??hFE 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10－25，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 1. ? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区。 2. ? 动态特性 A. 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程。 B. 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 GTR的开关时间在几微秒以内 前已述及： 此外还有 1. 最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 BUcbo BUceo 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo低得多。 电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏 电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、 开通时间ton和关断时间toff 2. 集电极最大允许电流ICM 3. 集电极最大耗散功率PCM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到ICM的一半或稍多一点 最高工作温度下允许的耗散功率 产品说明书中给PCM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变 二次击穿 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 安全工作区（Safe Operating Area——SOA） 最高电压UCEM、集电极最大电流ICM、最大耗散功率PCM、二次击穿临界线限定 N N型硅单晶片-------双面磨片------化学抛光------化学腐蚀清洗 N N+ N+ 双面浓磷预淀积------双面浓磷深结扩散 N N+