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压敏电阻用于SCB火工品静电防护的研究 随着现代科技的不断进步和发展，SCB火工品所处的电磁环境越来越恶劣，静电脉冲能量很容易会造成火工品的意外发火或性能改变。为了探究提高电火工品和半导体桥（SCB)火工品抗静电射频的有效方法，本文就压敏电阻能否适用于SCB火工品的静电防护以及其防护的效果如何进行了相关研究。实验结果表明： （1）通过实验对比并联压敏电阻前后典型芯片SCB电爆性能的变化，得出并联压敏电阻并不会对SCB的电爆性能产生显著影响，与预期相符。 （2）在美军标下，SFI0603-080C型号的压敏电阻能够有效地对典型芯片三极管座SCB起到明显的静电防护作用，防护效果优异； （3）在美军标下，SFI0603-120C型号的压敏电阻也能对典型芯片SCB起到一定的静电防护作用，但防护效果很差； （4）在美军标下，SFI0603-270C型号压敏电阻对典型芯片SCB基本无静电防护作用，不能用来做典型SCB的静电防护元件。 关键词：半导体桥；压敏电阻；电爆性能；静电防护 5146 设计说明书（论文）外文摘要 Title Study on Varistor for ESD protection of Semiconductor Bridge(SCB) electric explosive device(EED) Abstract With the continuous progress and development of modern science and technology , the electromagnetic environment of the SCB EED has been worsening, and the electrostatic pulse energy will easily lead to EED #39;s accidental ignition or characteristics changes. In order to explore the effective methods of the anti-electrostatic and anti-RF for EED and Semiconductor bridge (SCB), we research about whether the varistor can be applied to the electrostatic protection of the SCB EED and how much protective effect it has .The experimental results show that : (1)Contrast the changes of the typical chip SCB #39;s electrical explosion performance before and after paralleling varistor in the experiment, we conclude that paralleling varistor will not affect the electro-explosive performance of the typical chip SCB significantly that is what we expect. 4.1并联压敏电阻后SCB火工品的抗静电原理21 4.2 静电放电实验原理与装置21 4.3 实验过程与结果21 4.4 本章小结26 结论27 致谢28 参 考 文 献29 附表：32 1引言 1.1课题研究的目的和意义 半导体桥火工品，是指利用微电子技术制造，用半导体膜或金属半导体膜做发火元件的火工品， 进一步发展为利用微电子集成技术在芯片上集成有防静电、防射频以及逻辑控制功能电路的火工品[1]。其核心是半导体桥芯片（简称半导体桥），其结构和性能直接影响半导体桥火工品的性能[2]。半导体桥是指利用微电子制造技术使一种或多种金属或其他材料有控制地沉积于硅片上，形成的单层或多层半导体复合桥膜作为换能的器件。 与传统的灼热桥丝式电火工品相比，半导体桥火工品具有低发火能量、作用迅速、安全性好、工艺一致性好等优点[3]。半导体桥火工品诞生于1968年，最早用于军事目的，随着科学技术的不断进步，半导体桥火工品在军事和民用领域都愈来愈得到广泛的重视和快速的发展[4]。 常用的半导体桥发火能量约为3mJ,本身具有较好的抗静电射频能力，但对于更小尺寸、更低发火能量的半导体桥火工品静电放电产生的电火花仍可能由于静电放电产生的电火花造成半导体桥火工品的早爆或性能变化；且因为半导体桥芯片与药剂紧密接触，外界电磁波干扰在半导体桥上产生的热仍